第三代半導體

美國國際貿易委員會(ITC)裁定確認英諾賽科侵犯英飛凌一項涉及氮化鎵(GaN)技術的專利,對英諾賽科相關侵權產品實施進口與銷售禁令。
Gartner將英飛凌評選為該領域「最具競爭力公司」,並指出英飛凌能奪得此地位的關鍵,在於其完整產品組合、製造能力與對先進技術的早期投資。
德國慕尼黑地方法院就英飛凌與英諾賽科之間涉及氮化鎵技術的兩起進一步專利侵權案件作出判決,均裁定英飛凌勝訴。
英飛凌擴展其CoolGaN BDS 40 V G3雙向開關(BDS)系列,推出了兩款新產品:IGK048B041S和IGK120B041S。
「2025國際超大型積體電路技術、系統暨應用研討會」(VLSI TSA),將於4月21日至24日於新竹國賓飯店登場,邀請重量級貴賓,邁威爾科技副總裁Ken Chang。
隨著TI會津廠進入生產,加上位於德州達拉斯的現有GaN製造作業,TI 現針對GaN功率半導體的自有產能可增加至四倍之多。
蔚華科技攜手南方科技,宣布共同推出非破壞性缺陷檢測系統,取代現行高成本的破壞性KOH(氫氧化鉀)蝕刻檢測方式。
圖說:意法半導體GaN驅動器整合電流隔離功能,具有卓越的安全性和可靠性。
意法半導體首款具有電流隔離功能的氮化鎵(GaN)電晶體閘極驅動器,縮小了晶片尺寸,同時降低物料清單成本。
圖說:英飛凌執行長 Jochen Hanebeck
英飛凌完成收購 GaN Systems ,為英飛凌帶來了豐富的氮化鎵 (GaN) 功率轉換解決方案產品組合和領先的應用技術。
意法量產PowerGaN元件 電源產品性能躍進
意法半導體宣布量產能夠簡化高效功率轉換系統設計之增強型PowerGaN HEMT(高電子遷移率電晶體)元件。
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