圖說：英飛凌CoolGaN BDS 40 V G3產品系列
全球電源系統和物聯網領域半導體領導者英飛凌科技（Infineon）進一步擴展了其CoolGaN BDS 40 V G3雙向開關（BDS）系列，推出了兩款新產品：IGK048B041S和IGK120B041S。這兩款新產品最多可將PCB占板面積縮減 82%，並減少一半元器件數量。對於在現代智慧手機、筆記型電腦和可穿戴裝置等空間高度受限的應用中進行設計的工程師而言，這是一次顯著且具體的進步。新產品專為緊湊型消費類裝置打造，為電源系統設計人員提供了更大的靈活性，在不影響性能的前提下提高效率並簡化設計。
英飛凌氮化鎵事業線負責人Johannes Schoiswohl表示：「如今消費類裝置尺寸持續縮小，但對電力的需求卻日益提高。這使得工程人員面臨著需要在更小空間內實現更強電力輸出的巨大壓力。英飛凌全新的CoolGaN BDS應運而生。它將兩個背對背矽MOSFET的功能整合於單顆元件中，使元件使用數量減少了一半，從而大大簡化了PCB佈局。設計團隊可直接沿用現有驅動方案，避免成本高昂的重新設計並加快產品上市速度，實現更加精簡、更具成本效益的供電路徑。」
雙向開關（BDS）與其他氮化鎵裝置一樣，相容5 V閘極驅動。IGK048B041S和IGK120B041S分別採用2.1 x 2.1 mm²和1.7 x 1.2 mm² WLCSP的晶片級封裝，專為智慧手機、筆記型電腦和可穿戴裝置等空間高度受限的應用而設計。尺寸較大的 IGK048B041S實現了4.2 mΩ 的導通電阻（RDS(on)），而尺寸較小的IGK120B041S導通電阻則為9 mΩ。CoolGaN BDS裝置具有出色的開關性能和漏電性能。其閘極電荷比性能相當的其他產品低約40%，可實現更快的開關轉換速度、更低的開關損耗，以及在快充應用中更高的系統效率。此外，其汲極-汲極漏電流比市面其他裝置低85%以上，凸顯GaN技術在漏電控制上的天然優勢。綜合前述特性，能有效降低系統升溫，提升長期可靠性，並助力製造商滿足日益嚴苛的安全要求。
與依賴本體二極體（可能導致意外電流流動）的矽MOSFET不同，CoolGaN BDS裝置可實現雙向電壓和電流阻斷。這種真正有效的雙向阻斷能力對於智慧手機和可攜式裝置中的USB過壓保護等應用至關重要，它們可以防止意外反向電流，保護敏感的下游元件。CoolGaN BDS裝置同樣非常適合用於多軌電源架構中的負載開關和電源多工功能，此類應用需要精確控制多條供電軌之間的電流方向。
隨著IGK048B041S和IGK120B041S的發表，再加上此前發佈的IGK080B041S，英飛凌CoolGaN BDS 40 V G3系列現包括三款元件，滿足從緊湊型穿戴裝置到高效能筆記型電腦的各種行動電源切換需求。
英飛凌擁有強大的產品組合，在過去一年中推出了40餘款GaN新產品，是客戶在選擇高品質GaN解決方案時的優先合作夥伴。公司正穩步推進基於300毫米晶圓的可擴展GaN製造，首批樣品已向客戶交付。該工藝平台顯著提升了生產產能並加快了高品質GaN產品的交付速度，進一步鞏固了英飛凌在GaN市場的領導地位。
