圖說：英飛凌19日宣布，贏得對英諾賽科的專利侵權訴訟。
德國慕尼黑地方法院（Landgericht München I）於德國時間6月18日就英飛凌與英諾賽科之間涉及氮化鎵（GaN）技術的兩起進一步專利侵權案件作出判決（分別基於一項專利與一項實用新型），均裁定英飛凌勝訴。
此案涉及中國公司英諾賽科未經授權使用英飛凌已取得專利之氮化鎵技術。依據此次判決，法院禁止英諾賽科在德國境內製造、銷售及行銷更多侵害專利之產品。此外，法院亦裁定英諾賽科需向英飛凌支付損害賠償。
這是英諾賽科在此系列訴訟中的第三與第四次敗訴，每一項判決結果均認定英諾賽科的產品侵犯了英飛凌的專利。德國與美國的法院及主管機關亦多次裁定英諾賽科產品侵犯英飛凌的智慧財產權。先前的判決包括 2025 年 8 月 1 日在德國的初審對英諾賽科不利之裁定。此外，5 月 7 日，美國國際貿易委員會（ITC）全體委員會也裁定英諾賽科在氮化鎵技術領域侵害英飛凌的一項專利。截至目前，尚有其他涉及英飛凌專利侵權的訴訟程序仍在在美國與德國持續進行中。
氮化鎵可實現高效且節能的電源系統，在多種應用中扮演關鍵角色，涵蓋再生能源系統、資料中心、工業自動化及電動車（EV）等領域。
英飛凌資深副總裁暨 GaN 系統事業線負責人Johannes Schoiswohl 表示：「今日的判決充分證明了我們 GaN 專利組合的價值，也再次彰顯我們積極捍衛智慧財產權並促進公平競爭的決心。」
英飛凌持續鞏固其作為氮化鎵市場領先整合元件製造商（IDM）的地位，擁有業界最廣泛的智慧財產組合，涵蓋約 450 個 GaN 專利家族。英飛凌也將持續致力於推動創新與半導體技術進步，以因應全球從低碳化到數位轉型的迫切挑戰。
