世界先進已與台積電簽署高壓（650V）與低壓（80V）氮化鎵製程技術的授權協議，將協助世界先進加速開發並拓展新一代氮化鎵電源元件。

工研院於日本國際電子製造關連展（NEPCON JAPAN）現場展出14項前瞻技術成果，同時發表「高功率密度三合一動力系統」。

格棋化合物半導體榮獲第二十三屆「金峰獎—大型企業組」十大傑出企業之肯定，創辦人暨董事長張忠傑同時榮膺「十大傑出創業楷模」。

台灣光電暨化合物半導體產業協會（TOSIA）與國家科學及技術委員會工程處光電工程學門共同舉辦「2025科技論文獎」。

格棋化合物半導體宣布，該公司以「低缺陷密度八吋碳化矽晶圓技術榮獲第21屆國家新創獎－企業新創獎肯定。

格棋化合物半導體舉行中壢新廠落成典禮，並宣布與國家中山科學研究院合作，雙方將共同強化在高頻通訊技術領域的應用。

英飛與歐姆龍社會解決方案公司合作，賦能歐姆龍實現一款日本外型尺寸最小，同時重量也最輕巧的車聯網（V2X）充電系統。

中山大學晶體研究中心與台灣應用晶體及其所屬集團簽訂「大尺寸氧化鎵晶體生長」專案合作契約書。