意法半導體IGBT電晶體將擊穿電壓提升至1350V，具有更大的設計餘量、耐受性能和更長久的可靠性。

英飛凌推出搭載1200 V TRENCHSTOP IGBT7晶片的62 mm半橋和共發射極模組產品組合，模組最大電流規格高達800 A。

法商施耐德電機Schneider Electric聯手碩成電子，最新推出採用磷酸鋰鐵電池的Galaxy VL系列不斷電系統。

DENSO和聯華電子日本子公司USJC 10日共同宣佈，雙方合作生產的絕緣閘極雙極性電晶體（IGBT）已在USJC的12吋晶圓廠進入量產。

圖說：英飛凌CIPOS Tiny IM323-L6G新型智慧功率模組英飛凌推出CIPOS Tiny IM323-L6G 600 V 15 A新產品，進一步擴展其CIPOS Tiny智慧功率模組（IPM）系列的產品陣容。這款全新的IPM採用了TRENCHSTOP RC-D2 IGBT功率開關元件和先進的SOI閘極驅動技術，可最大限度地提高效率，實現更高的可靠性，縮小外形尺寸並降低系統成本。

圖說：DENSO和聯電日本子公司USJC合作車用功率半導體製造，USJC將為DENSO建立一條IGBT產線。全球知名車用電子供應商日本電裝株式會社（DENSO）和聯華電子日本子公司USJC 26日共同宣佈，雙方已同意在USJC的12吋晶圓廠合作生產車用功率半導體，以滿足車用市場日益增長的需求。