隨著TI會津廠進入生產，加上位於德州達拉斯的現有GaN製造作業，TI 現針對GaN功率半導體的自有產能可增加至四倍之多。

蔚華科技攜手南方科技，宣布共同推出非破壞性缺陷檢測系統，取代現行高成本的破壞性KOH（氫氧化鉀）蝕刻檢測方式。

意法半導體首款具有電流隔離功能的氮化鎵（GaN）電晶體閘極驅動器，縮小了晶片尺寸，同時降低物料清單成本。

英飛凌完成收購 GaN Systems ，為英飛凌帶來了豐富的氮化鎵 (GaN) 功率轉換解決方案產品組合和領先的應用技術。

意法半導體宣布量產能夠簡化高效功率轉換系統設計之增強型PowerGaN HEMT（高電子遷移率電晶體）元件。

中山大學晶體研究中心成功長出直徑6吋碳化矽晶體塊材，7月起技轉台灣應用晶體，簽訂5年5千萬技術移轉案。

工研院邀請業者共同見證電力電子系統研發聯盟成果發表會，持續建立MIT從元件、模組到次系統一條龍產業鏈，搶攻2026年超過千億新臺幣化合物半導體商機。

意法半導體與采埃簽訂碳化矽元件長期供應協定。從2025年起，采埃孚將從意法半導體採購碳化矽元件。

德州儀器（TI）今（2）日宣布攜手光寶科技在北美市場推出搭載 TI 高整合式氮化鎵（GaN、Gallium nitride）與 C2000 即時微控制器（MCU）的商用化伺服器電源供應器（PSU）。透過 TI LMG3522R030 GaN FET 及 S320F28003x C2000 MCU，新一代電源供應器功率密度提升至超過 95 W/in³，且符合 80PLUS 鈦金級效率規範。

英飛凌宣布與前身為昭和電工的Resonac 簽訂多年期供應及合作協議，以補充並擴展雙方在 2021年的協議。新合約將深化雙方在 SiC 材料的長期合作。