大學動態

圖說:中山大學校長鄭英耀、中央研究院院長廖俊智、台灣中油董事長戴謙會談
圖說:中山大學校長鄭英耀、中央研究院院長廖俊智、台灣中油董事長戴謙會談國立中山大學化學系12月8日至9日盛大舉辦「2018中國化學會年會」,本次會議以「化學新力量」為主題,內容涉及分析化學、有機化學、無機化學、物理化學、奈米生醫、化學教育、產業論壇、綠能、循環經濟與實驗室意外後續處理等各領域。針對業界需求議題,探討化學產業的趨勢,加強學術與產業界的雙方合作。
圖說:清華材料所教授嚴大任(中)帶領博士生沛維翠(左)及江叡涵(右)研究, 皆登上國際頂尖期刊
圖說:清華材料所教授嚴大任(中)帶領博士生沛維翠(左)及江叡涵(右)研究, 皆登上國際頂尖期刊用「水」發電,把水轉為乾淨無汙染的氫能,是全球能源學者的夢想。國立清華大學材料所嚴大任教授團隊突破過去水分解效率太低的限制,利用電漿子奈米天線搭配雙層水分解催化劑二硫化鉬,把產生氫能的效率提升了近30倍。這項重要研究成果登上國際頂尖能源期刊「前瞻能源材料」,並被選為封面。
圖說:諾貝爾化學獎得主謝赫特曼蒞臨交大暢談如何將科技研究與創造力轉換為創業基石
圖說:諾貝爾化學獎得主謝赫特曼蒞臨交大暢談如何將科技研究與創造力轉換為創業基石諾貝爾化學獎得主、以色列科技創業教父丹‧謝赫特曼博士(Dan Shechtman)19日蒞臨交通大學,暢談如何將科技研究與創造力轉換為創業基石。謝赫特曼是以色列理工學院材料工程博士,1981年參與國家統計局的合作案,研究快速凝固鋁過渡金屬合金發現二十面體相,從而開創「准晶體」新領域。
圖說: 左起聯發科技周漁君技術長、科技部陳良基部長、台灣大學郭大維代理校長。
圖說: 左起聯發科技周漁君技術長、科技部陳良基部長、台灣大學郭大維代理校長。全球 IC 設計大廠聯發科技10/31於科技部陳良基部長主持的2018前瞻技術計劃成果展發表會中,與台灣大學共同發佈「前瞻下世代行動通訊終端關鍵技術」產學大聯盟計劃的研究成果。該計劃是台灣歷年來最大型的以5G與AI為主題的產學合作計劃,聯發科技與科技部三年來共同投入超過新台幣四億元。
圖說:《暗戀桃花源》30周年紀念版由唐從聖飾老陶,張本渝飾春花,屈中恆飾袁老闆。(圖/表演工作坊提供)
圖說:《暗戀桃花源》30周年紀念版由唐從聖飾老陶,張本渝飾春花,屈中恆飾袁老闆。(圖/表演工作坊提供)經典舞台劇《暗戀桃花源》即將於本月17日在清華大學演出,作為慶祝清華大學藝術中心成立30周年的重點展演。清華大學1999年上演《暗戀桃花源》時飾演「春花」一角的丁乃箏,此次將以導演身份重回清華。她表示,非常期待這次演出,也希望更多的大學生能走進劇場欣賞這齣比他們更年長、卻經久不衰的舞台劇。
圖說:群聯電子總經理歐陽志光代表潘健成,將新竹馬偕醫院的高階健檢方案,捐贈給交大電機系的教職員。右起交大電機系邱俊誠教授、群聯電子歐陽志光總經理、馬偕醫院翁順隆副院長、交大張懋中校長、電機學院唐震寰院長、電機系陳科宏系主任。
圖說:感謝老師的培育之恩,同時擔任交大電機系友會會長的群聯電子董事長潘健成,將新竹馬偕醫院的高階健檢方案送給系上師長。群聯電子總經理歐陽志光代表潘健成,將新竹馬偕醫院的高階健檢方案,捐贈給交大電機系的教職員。右起交大電機系邱俊誠教授、群聯電子歐陽志光總經理、馬偕醫院翁順隆副院長、交大張懋中校長、電機學院唐震寰院長、電機系陳科宏系主任。
圖說:參賽模型在振動台上接受地震考驗
圖說:參賽模型在振動台上接受地震考驗國家實驗研究院與英國文化協會(The British Council)聯合主辦的「2018抗震盃-地震工程模型製作國際競賽」, 9/15進行模型競賽測試,高中組、大專組第一名分別由台中工業高級中等學校與台灣科技大學奪得,研究生組第一名與「隔減震創意獎」同時由香港大學獲得。
圖說:交大舉辦暑期AI營課程開幕式,除了讓各領域對AI自動駕駛有興趣的學生參加。未來開放給全國各地的學子以及社會人士參與。
圖說:交大舉辦暑期AI營課程開幕式,除了讓各領域對AI自動駕駛有興趣的學生參加。未來開放給全國各地的學子以及社會人士參與。交大與蘇黎世聯邦理工學院、蒙特利爾大學、芝加哥豐田技術學院、北京清華大學以及喬治亞理工學院等機構,將在10月舉辦AI人工智慧駕駛競賽,將吸引來自此六個頂尖學術機構AI高手參與。
圖說:明新科大與工研院攜手人才培育,由明新科大校長林啟瑞(右)、工研院機械所所長胡竹生代表雙方簽約
圖說:明新科大與工研院攜手人才培育,由明新科大校長林啟瑞(右)、工研院機械所所長胡竹生代表雙方簽約明新科技大學與工研院機械所共同簽訂合作意向書,由明新科大校長林啟瑞、與工研院機械與機電系統研究所所長胡竹生代表雙方簽署合作,雙方相關主管在明新科大校內舉行了隆重的簽署儀式,明新科大董事長張紹鈞也出席儀式。
圖說:8吋高耐壓E-mode GaN on Si 晶圓/6吋高耐壓E-mode GaN on Novel SOI晶圓
圖說:8吋高耐壓E-mode GaN on Si 晶圓/6吋高耐壓E-mode GaN on Novel SOI晶圓透過科技部竹科管理局106年度科學園區研發精進產學合作計畫的支持,環球晶圓、交通大學光電工程研究所郭浩中教授以及國家奈米元件實驗室(NDL)共同合作,發展具優良動態特性的6吋複合晶圓高耐壓E-mode GaN on Novel SOI HEMT技術。
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