
- 文:Wa-People/李慧臻 Jane Lee
- 圖:Wa-People/編輯中心
- 2022.11.22
世界先進宣布其領先的八吋0.35微米650 V的新基底高電壓氮化鎵製程已於客戶端完成首批產品系統及可靠性驗證,正式進入量產,為特殊積體電路製造服務領域首家量產此技術的公司。

- 文:Wa-People/李慧臻 Jane Lee
- 圖:Wa-People/編輯中心
- 2022.02.23
圖說:英飛凌將斥資逾20億歐元,在馬來西亞居林工廠建造第三個廠區。英飛凌宣布(Infineon)將大幅提升寬能隙(碳化矽和氮化鎵)半導體的產能,進一步鞏固和增強其在功率半導體市場的領導地位。該公司將斥資逾20億歐元,在馬來西亞居林工廠建造第三個廠區。建成之後,新廠區將用於生產碳化矽和氮化鎵功率半導體產品,每年可為英飛凌創造20億歐元的收入。












