- 文：《 Wa-People ! 》編輯部
- 圖：星子
- 2010.08.13
■文：《Wa-People!》編輯部■圖：星子HTC首度躋身全球前十大手機製造商！銷售量不斷成長的HTC，目前排名已經晉身全球第八。國際研究暨顧問機構Gartner發布，HTC以590萬8,800支銷售量、1.8%的市場占有率，於2010年第二季，成為全球第八大手機品牌。
- 文：王麗娟 Janet Wang
- 圖：李慧臻 Jane Lee
- 2010.07.19
圖說：觸控面板上，最貴的材料就是「透明導電膜」。工研院機械所電漿應用技術部研究員張加強指出，工研院透過跨領域技術團隊合作，大幅提高觸控面板的成本優勢。■文：王麗娟Janet Wang■圖：李慧臻Jane Lee閃電瞬間的能量，被工研院的研發團隊捉住了。利用大自然的原理，掌握閃電現象與瞬間能量，將之轉換成製作透明導電膜的大氣壓電漿技術。這項創新突破，讓觸控面板上最貴的「透明導電膜」可以直接在普通的大氣壓環境下製作，不必仰賴昂貴的真空環境，是降低成本的重要關鍵。
- 撰稿：葉騰豪
- 攝影：李慧臻 Jane Lee
- 2010.07.01
圖說：電荷殘留會影響元件特性！旺宏電子主任工程師葉騰豪在2010VLSI-TSA發表該公司採BE-SONOS結構研究，發現將閘極蝕刻控制成垂直狀，將是應用關鍵。2010VLSI半導體產業盛宴（五）■撰稿：葉騰豪■攝影：李慧臻Jane Lee近年來，利用氮化矽局部電荷儲存原理，取代浮停閘（FloatingGate）記憶體晶胞的研究越來越多。因此關於氮化矽記憶體元件可靠度的研究也越顯得重要。本文著重於研究由閘極蝕刻所引發的形狀效應，並且討論其在NAND陣列下所反應出來的元件特性。
- 撰稿：王麗娟 Janet Wang
- 攝影：李慧臻 Jane Lee
- 2010.06.26
圖說：旺宏電子創新研發的NANDFlash微縮技術，獲選為2010年VLSI焦點論文。總經理盧志遠（右）與奈米技術研發部部經理呂函庭（左），開心分享堅持了10年的研發成果。■撰稿：王麗娟Janet Wang■攝影：李慧臻Jane Lee專注於非揮發性記憶體（NVM）創新技術研發的旺宏電子（MacronixInternational），在3DNANDFlash尺寸微縮及效能提升，又創佳績。該公司持續研究多年的創新成果，被全球視為是解決NANDFlash微縮瓶頸的重要突破，獲選為VLSI技術論壇2010年年度八篇重要焦點論文之一。
- 撰稿：陳健邦
- 2010.06.15
圖說：朱鎔基題贈清華大學■撰稿：陳健邦重振輝煌：清華大學的世紀呼喚「違千夫之諾諾，作一士之諤諤。」……..西南聯合大學紀念碑文2001年春，我來到北京清華園，參加九十周年校慶。四月二十九日校慶典禮，代表校友致詞的是一九六六級的朱鳳蓉將軍，她說：「一九六四年十月十六日晚，整個清華園沸騰了，我國的第一顆原子彈試爆成功。」當她說到：「清華的傳統就是，與祖國同呼吸、共命運。」現場的氛圍頓時熱了起來。江澤民主席最後一位致詞，說到：「國家表揚二十三位兩彈一星功勳，有十四位是清華大學的師生，……這是中國知識份子的驕傲。」
- 撰稿：王麗娟 Janet Wang
- 攝影：T. K.
- 2010.02.05
圖說：矽品董事長林文伯，在投資法人說明會上表示，2010年封測代工可成長2位數以上。■撰稿：王麗娟Janet Wang■攝影：T.K.2010年2月3日，矽品法說會。矽品董事長林文伯在法說會上表示，對半導體產業景氣看好，已佈局擴廠。法說會上，矽品的關鍵數字，143。這是矽品公告2010年的資本支出，總預算新台幣143億元，這是矽品的歷史新高紀錄。
- 撰稿：王麗娟 Janet Wang攝影：李慧臻 Jane Lee從代理、到自己投入半導體尖端製程設備研發，漢辰科技董事長黃民奇，19日在捐贈先進半導體製程設備予國研院奈米元件實驗室的儀式後，談到很多人都說，半導體尖端製程設備研發是精密機械工業，但他認為，應該稱之為「製程工業」才對！黃民奇指出，身為設備開發者，當詢問客戶：「22奈米，你需要什麼？」之後，必須能夠根據客戶講的需求，自行揣摩開發出一套設備，能夠提供所需的製程技術。『這過程中，最困難的是，你「沒有參考點」！例如說，你的Energy 為什麼要那麼大？而且還要「沒有能量污染」（Energy Contamination Free）？想一想？這誰有呢？世界上沒有！以漢辰的例子，開發過程中，想著要開發出Energy Contamination Free的離子植入機（Implanter），連物理學家都要加入，這不是機械工業呀！』，黃民奇說。他強調：「整個原創的系統架構、可以達到製程需求的特性，才是製程設備工業的重點」，漢辰所努力的領域，是「Process industry not Machinery Industry」。漢辰科技開發的離子植入機，最令產業界最跌破眼鏡的是，該設備系統的技術原創性。其「能量過濾器」（Energy Filter），確保能量純度，並做到能量零污染；另外，該設備還可以調整離子束的形狀，以追求最佳化製程品質與效能。黃民奇認為，台灣的機械工業，已經做得很好，也因此能夠支援電腦及各種電子產品的發展。但製程工業重視的是，所開發出來的設備，可以做什麼事？黃民奇表示，漢辰科技比較難得的是，在開發過程中，不是採取先模仿後改進的方式，而是迎頭趕上，以原創的技術，開發出世界的級製程設備。他期望，透過漢辰與NDL的合作，可以產生很多國際級的研究成果。圖說：NDL技術長戴寶通，推崇漢辰董事長黃民奇為製程產業做出的貢獻！曾在台灣準備發展半導體產業之初，被國家派往美國RCA取經受訓的團隊成員之一，現任NDL技術長戴寶通博士也特別推崇黃民奇董事長對於製程設備開發的貢獻。他說黃民奇這麼做，「不是只有事業，還是理想」。戴寶通指出，半導體前段設備太貴，技術太創新，唯有為了理想，才能撐得住！！
- 2010.01.26
圖說：從半導體設備代理商，到投入開發半導體設備。漢辰科技董事長黃民奇強調，很多人都說半導體設備是精密機械工業，但他認為，應該稱之為「製程工業」。■撰稿：王麗娟Janet Wang■攝影：李慧臻Jane Lee從代理、到自己投入半導體尖端製程設備研發，漢辰科技董事長黃民奇，19日在捐贈先進半導體製程設備予國研院奈米元件實驗室的儀式後，談到很多人都說，半導體尖端製程設備研發是精密機械工業，但他認為，應該稱之為「製程工業」才對！
- 撰稿：王麗娟 Janet Wang攝影：李慧臻 Jane Lee漢辰科技(AIBT) 1月19日捐贈先進半導體製程機台『高電流離子植入機』予國家實驗研究院國家奈米元件實驗室 (NDL)。寫下台灣自製半導體尖端製程設備捐贈國家級研究單位的先例。造價上億，開先例！離子植入機為半導體製程中具關鍵性、且難度最高的機台之一，過去學術研究單位缺乏此類型的機台供實驗試產，漢辰科技所捐贈的機台，造價新台幣上億元，將提供NDL進行奈米技術研究開發。漢辰科技董事長黃民奇出席捐贈典禮，將該公司自行研發的『高電流離子植入機』一部，捐贈予NDL，由NDL主任楊富量代表接受。近年來經濟部工業局積極推動半導體產業設備本土化，訂立2012年半導體前段設備自製率由目前5%提升到20%、後段設備自製率由25%提升到60%、耗材零組件自製率由20%提升到80%的重要發展目標。漢辰科技從2003年成立，投入高電流的離子植入機開發，可說是將自己投身於一場高難度的國際競爭賽中。在資金上，需要持續投資，成本高昂而回收耗時；在技術上，更需整合出令人刮目相看的尖端技術，才有機會與原來寡佔市場的設備大廠互別苗頭。漢辰科技挑戰的是，不僅所開發的產品，功能要符合客戶期望，還要能夠兼顧成本效益，是在走一條別人沒有走過的路。該公司所開發的離子植入機，為本土廠商所推出的最貴重的機台，二年前已打入國際級半導體廠的供應鏈中，目前更進一步與客戶合作，投入22奈米技術開發中。充實NDL 奈米研究能量代表接受捐贈的NDL主任楊富量表示，感謝漢辰捐贈造價如此昂貴的半導體尖端製程設備，讓NDL與美國SEMATECH、歐盟IMEC及日本國家級研究機構得以並駕齊驅，同樣擁有該項奈米製程關鍵設備。圖說：這群人將攜手為奈米技術研究打拼。右起：NDL技術長戴寶通、漢辰科技台灣總經理任克川、NDL主任楊富量、國家實驗研究院副院長王永和、漢辰科技總經理鄧念濠、漢辰科技薛士雍、NDL廠長黃健朝、NDL副主任吳文發、NDL組長林必窕、漢辰科技業務副理張國忠。NDL領先全球，開發出第一個16奈米的功能性靜態隨機存取記憶體（SRAM）單位晶胞，應用該技術的16奈米元件，將使電腦與手機上的主機板，更小更省電。楊富量表示，身為學術研究單位，最大的價值在於「無中生有」。未來NDL未來將分享先期研究的寶貴經驗，希望這場產研合作，可以成就高科技新市場的最佳典範。圖說：國家實驗研究院副院長王永和，出席捐贈典禮。國家實驗研究院副院長王永和也出席捐贈典禮。2003年6月成立的國家實驗研究院，主要任務在於建構實驗研究平台、支援學術研究、推動前瞻科技及培育科技人才。王永和指出，奈米實驗需要很昂貴的設備，二手設備的過去捐贈者不少，但這回漢辰科技捐贈全新、且造價昂貴的高電流離子植入機，可謂空前紀錄。全球半導體製程設備的產業鏈，從「研發」、「製造」、「銷售」與「技術服務」各有分工。漢辰科技董事長黃民奇指出，全球半導體製程設備產業，若以規模來看，名列前茅者有美國、歐盟、日本、以色列及韓國。但若以「科技原創性」的角度看，漢辰科技可以在前段半導體設備中，排名第四，緊隨在美國、歐盟及日本之後。黃民奇致詞時表示：「這是國人所開發的設備，捐贈給國內最高的研究單位，意義重大。」技術原創受矚目 半導體製程設備的競爭，是大規模、且慘烈的。2007年初，全球最大半導體設備商應用材料（Applied Materials）做下一個重大決定：退出離子植入機市場。從此，市場快速由對手瓦里安（Varian）攻佔。導致應用材料做下重大痛苦決定的關鍵點在於，應用材料的離子植入機，強調的是產能效益高的批次作業方式，但從90奈米製程以下，客戶發現，一片一片來的單晶片作業，可能比較不會有閃失。圖說：漢辰捐贈的高電流、低能量離子植入機iStar，已進駐NDL實驗室。2007年，漢辰科技開發的高電流離子植入機除了採批次作業的iStar外，隨即快速開發出單晶片作業的iPulsar。在製程設備產業中算是新秀，漢辰能在短短時間內獲得客戶青睞，從零開始，拿下二成市場佔有率，關鍵在於，技術的原創性。該公司台灣總經理任克川指出，iPulsar算是把單晶片作業的高電流離子植入機做得最先進的。該設備獨創以能量過濾器（Energy filter），過濾掉不純的能量，做到完全「沒有能量污染」（Energy Contamination Free），另外，在掃瞄方式也兼備單維及雙維（1D, 2D）技術供客戶選擇，能做出效能最佳的元件。2007年推出後，隨即獲得客戶的試用，並於2008年正式上線。2007年全球半導體製程設備締造歷史新高，達360億美元（36 billion），其中，離子植入機約佔13億美元。2009年由於金融風暴影響全球經濟，離子植入機市場大幅下滑至3.7億美元左右。展望未來幾年，市場研究機構Dataquest預估保守，認為將緩升至5億美元。『Wa-People!』小檔案 -【漢辰科技】漢辰科技 (Advanced Ion Beam Technology, AIBT) 成立於2003年，網羅離子植入技術最頂尖的開發人才、以及對半導體製程應用具經驗的專家，其所開發之設備，為半導體製程中具關鍵性、且難度最高的高電流離子植入機。漢辰的iPulsar 提供晶圓廠45奈米以下先進製程的離子植入設備及技術，以降低晶圓廠的生產成本，漢辰以其革命性技術及值得信任的全球生意夥伴，降低移轉風險，確保客戶最有附加價值的解決方案。漢辰網站：www.aibt-inc.com『Wa-People!』小檔案 -【國研院奈米元件實驗室】國研院奈米元件實驗室 (National Nano Device Laboratories, NDL)位於新竹市科學工業園區，隸屬於財團法人國家實驗研究院。NDL自1988年成立以來，致力於支援國內學術界開發先進半導體製程技術方面的研究及培育業界所需半導體人才。NDL近年來以傳統矽奈米晶圓製程技術為基礎，進行前瞻CMOS元件、能源光電與生醫微機電製程技術的拓展與轉型，以確實提供產、學、研所需之服務。NDL網站：www.ndl.org.tw
- 2010.01.25
首開先例！台灣自製半導體尖端設備贈國家研究單位NDL■撰稿：王麗娟 Janet Wang■攝影：李慧臻 Jane Lee漢辰科技(AIBT) 1月19日捐贈先進半導體製程機台『高電流離子植入機』予國家實驗研究院國家奈米元件實驗室 (NDL)。寫下台灣自製半導體尖端製程設備捐贈國家級研究單位的先例。造價上億，開先例！
- 2010.01.04
■撰稿 ／攝影：王麗娟 Janet Wang科學工業園區管理局慶祝新竹科學園區成立廿九週年，12月15日頒獎表揚傑出表現及貢獻的個人及企業。頒獎儀式由顏宗明局長與同業公會總幹事張致遠先生共同主持。
