圖說：根據 Counterpoint Research 最新報告，記憶體價格預計在 2025年第四季上漲 30%，並於明年初再增加 20%。
根據 Counterpoint Research 最新《Memory Solutions for GenAI》報告，記憶體價格預計在 2025年第四季上漲 30%，並於明年初再增加 20%。這些漲幅將疊加在今年迄今已累積的 50% 漲幅之上，使市場壓力持續升高。
目前造成市場扭曲的關鍵因素之一，是供應商為因應AI需求、將產能轉向更先進記憶體，導致 LPDDR4 供應日益緊縮。現貨市場也出現明顯失衡：伺服器與PC採用的 DDR5 每Gb約 1.50 美元，而消費性電子使用的 DDR4 反而高達 2.10 美元，甚至高於先進 HBM3e 約 1.70 美元的水準。
Counterpoint Research預測，2026 年主要記憶體供應商的 DRAM 產量將成長超過 20%。研究總監MS Hwang 表示：「三星（Samsung）可能重新調整其擴大的 1C 製程；SK hynix 正積極拉升產量並提高出貨目標；長鑫存儲（CXMT）可能交出更亮眼表現；而一向重視投資報酬率的Micron，在這樣的市場氛圍下也不太可能採取保守策略。」
更長期與更廣泛的風險：先進記憶體供應緊縮
目前晶片短缺問題主要源於傳統記憶體供應吃緊，特別衝擊採用 LPDDR4 的入門級消費性電子產品，例如平價智慧型手機。
研究總監MS指出：「真正更大的風險在於先進記憶體。隨著NVIDIA轉向 LPDDR，其需求規模已等同一線智慧型手機品牌，對全球供應鏈造成難以快速吸收的巨大衝擊。」
傳統上，伺服器依賴具備 ECC（錯誤校正）的DDR記憶體以確保可靠性；但 NVIDIA 為降低功耗，正改採 LPDDR，並將錯誤校正在 CPU 端處理，而非依賴 DDR5 ECC。在高度受限的供應情境下，Counterpoint 預測DDR5 64GB RDIMM 模組價格將自 2025 年第一季至 2026 年底期間倍增。
DRAM 價格情境（DDR5 64GB RDIMM）
目前的缺貨情況主要衝擊智慧型手機市場的入門價位帶。Counterpoint Research 資深分析師 Ivan Lam 表示：「但這波壓力可能進一步延伸至整體智慧型手機與消費性電子生態系。以中高階機型為例，其 BOM（物料清單成本）可能上升 15% 以上，壓縮利潤空間或抑制成長——兩者很可能同時發生。」
此外，關稅、地緣政治、就業市場等宏觀因素也將加深產業不確定性。整體而言，受限的產能與高漲的價格形成高度波動的市場環境，將迫使供應商與製造商面臨艱難取捨。
