圖說：8吋高耐壓E-mode GaN on Si 晶圓/6吋高耐壓E-mode GaN on Novel SOI晶圓
透過科技部竹科管理局106年度科學園區研發精進產學合作計畫的支持，環球晶圓、交通大學光電工程研究所郭浩中教授以及國家奈米元件實驗室(NDL)共同合作，從基板、晶圓接合、磊晶到E mode HEMT元件製程及驗證技術，發展具優良動態特性的6吋複合晶圓高耐壓E-mode GaN on Novel SOI HEMT技術，開發品質更佳、成本更低、產能倍增之前瞻性產品，並提供業界與學界有一個III-V化合物的製程平台，加速化合物半導體發展。
本計畫完成高阻晶體生長，並以AlN為絕緣層，搭配高強度基板作為Handle wafer完成開發高強度、高絕緣特性與散熱佳之新型SOI(AlN)基板；運用磊晶應力調整技術，磊晶後基板bow
圖說：環球晶圓股份有限公司研發成果驗收
環球晶圓為世界前三大半導體矽晶圓材料供應商，也是世界唯一同時具有矽基板相關技術與氮化鎵磊晶技術之公司。藉由矽基板與氮化鎵磊晶技術創新與垂直整合，除具有成本優勢外，也能增加台灣在氮化鎵元件之技術能力與競爭力。環球晶圓除了提供矽晶圓外，也將提供次世代高功率、高頻市場與第五代通訊(5G)應用所需之特殊基板，成為全方位半導體材料供應商。
