圖說：英飛凌推出採用全新 EasyPACK C 封裝的碳化矽電源模組，助力提升工業應用的能效與使用壽命。
工業領域中的快速直流電動汽車（EV）充電、百萬瓦(MW) 級充電、儲能系統，以及不斷電供應系統設備，往往需要在嚴苛環境條件與波動負載的運行模式下工作。這些應用對高能效、穩定的功率迴圈能力以及較長的使用壽命有著極高的要求。為滿足這些需求，全球電源系統和物聯網領域半導體領導者英飛凌科技（Infineon）推出了EasyPACK C 系列產品 ——EasyPACK 封裝家族的新一代產品。該全新封裝系列的首款產品為碳化矽（SiC）電源模組，整合了英飛凌CoolSiC MOSFET 1200 V G2技術，並採用了公司專有的.XT 互連技術。透過降低靜態損耗並提高可靠性，這些模組有助於滿足工業應用領域日益增長的能源需求，並助力實現永續發展目標。
憑藉英飛凌的 CoolSiC MOSFET G2 技術，新產品較上一代 CoolSiC MOSFET功率密度提升超過30%，使用壽命延長高達 20 倍。此外，該產品的導通電阻（RDS(on)）顯著降低約 25%。不僅如此，全新的 EasyPACK C 封裝設計理念進一步提高了功率密度與佈局靈活性，為未來更高電壓等級的產品設計奠定了基礎。而英飛凌的.XT 互連技術進一步延長了元件的使用壽命。
該系列模組可承受接面溫度（Tvj(over)）高達 200°C 的超載開關工況。搭載全新 PressFIT 壓接引腳，其電流承載能力提升一倍，同時降低PCB板的溫度，並優化安裝流程。全新的塑封材質與矽凝膠設計，支援該模組在最高 175°C 的接面溫度（Tvj(op)）下依然穩定運行。此外，該系列模組還具備一分鐘內耐受3 kV交流電的隔離等級。這些特性共同助力該模組實現更卓越的系統能效、更長的使用壽命，以及更出色的耐高溫性能。
採用 EasyPACK C 封裝的全新模組提供多種拓撲結構，包括三電平（3-level）和 H 橋（H-bridge）配置，且同時提供含/不含熱介面材料的兩種版本。
