強強聯手 聯電頎邦策略聯盟

圖說:聯華電子與頎邦科技,經由股份交換建立策略合作關係

圖說:聯華電子與頎邦科技,經由股份交換建立策略合作關係

透過交換持股的方式,聯華電子與頎邦科技建立長期策略聯盟關係。聯電、聯電子公司宏誠創投及頎邦科技9月3日董事會通過,宣布換股完成後,聯電及宏誠將持有頎邦約9.09%股權,頎邦則持有聯電約0.62%股權。聯電、頎邦分居產業供應鏈之上下游,聯電專注晶圓製造,頎邦聚焦高階封裝及測試。這項策略聯盟意味著兩家公司更緊密的合作,同時也可以進一步保障客戶的商業機密。

聯電以先進製程技術提供晶圓製造服務,為IC產業各項應用產品生產晶片,並且持續推出尖端製程技術及完整的解決方案,以符合客戶的晶片設計需求,所提供方案橫跨14奈米到0.6微米之製程技術。該公司為台灣最早經營面板驅動IC晶圓代工的廠商,也是成功使用28奈米高壓製程於AMOLED面板驅動IC之先行者,目前已進階至22奈米。聯電近年積極投入開發化合物半導體氮化鎵(GaN)功率元件與射頻元件製程開發,鎖定市場商機為高效能電源功率元件及5G射頻元件。

頎邦的技術製程主要是聚焦於面板驅動IC封裝測試、覆晶凸塊製作及晶圓級晶片尺寸封測(WLCSP),並持續投入扇出型系統級封裝(FOSiP)及覆晶系統型封裝(FCSiP)等相關高階先進封裝技術製程開發。該公司是全球驅動IC封測代工領導者,產能、技術獨步全球,並且在電源功率元件及射頻元件封測市場經營多年,並已在此行業佔有舉足輕重之地位。

頎邦的服務項目包括覆晶凸塊(Bumping)、厚銅重佈線(RDL)及晶圓級晶片尺寸(WLCSP)封測,適用晶圓材質除了矽(Si)外,也已經開始量產於砷化鉀(GaAs)、碳化矽(SiC)、氮化鎵(GaN)等化合物晶圓上。頎邦也正在致力開發覆晶系統級(FCSiP)、扇出型系統級(FOSiP)等先進封裝技術。

這兩家公司將在驅動IC領域密切合作,整合前、後段製程技術,往更高頻、更低功耗等方向邁進,共同提供面板業界一元化的解決方案。基於雙方多年來已在驅動IC的領域密切聯繫合作,雙方董事會決議以換股方式,相互取得對方股權,更進一步強化雙方長期策略合作關係。

聯電、子公司宏誠創投與頎邦三方同意依公司法第156條之3之規定進行股份交換,由頎邦增資發行普通股新股67,152,322股作為對價,以受讓聯電增資發行之普通股新股61,107,841股及宏誠創投所持有之聯電已發行普通股16,078,737股。換股比例為聯電每1股換發頎邦0.87股。

聯電總經理簡山傑表示:「聯華電子一向致力於以全球化佈局擴展營運規模、強化客戶競爭力及提升股東價值。面對半導體技術日趨精進,基於產業趨勢及市場共同性,聯電除了研發自有晶圓代工技術,也與策略夥伴攜手合作,結合雙方技術優勢,整合上下游供應鏈資源,提供客戶先進的製程技術方案及更完整的全方位服務。」

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