圖說：英飛凌推出 CoolSiC MOSFET 1700 V SMD 封裝，為高壓輔助電源供應器提供最佳效率並降低複雜性。
英飛凌擴充旗下 CoolSiC MOSFET 系列電壓等級，繼今年稍早推出的 650 V 產品後，現在更新添具專屬溝槽式半導體技術的 1700 V 電壓等級產品。新款 1700 V 表面黏著裝置 (SMD) 產品充分發揮了碳化矽 (SiC) 的物理特性，提供優異的可靠性和低切換及導通損耗。1700 V CoolSiC MOSFET 適用於三相轉換系統的輔助電源供應器，例如：馬達、再生能源、充電基礎設施及 HVDC 系統等。
這類低功率應用通常在 100 W 以下運作。在這些情況下，設計人員通常偏好採用單端返馳式拓撲。有了 SMD 封裝的 1700 V CoolSiC MOSFET 後，甚至能在輸入電壓高達 1000 VDC 的直流連結連接輔助電路，啟用這種拓撲技術。使用單端返馳式轉換器的輔助轉換器，具高效率和高可靠性，可建置於三相電源轉換系統中，進而將尺寸縮到最小並減少物料清單。
英飛凌工業電源控制部門 SiC 資深協理 Peter Friedrichs 博士表示：「1700 V CoolSiC MOSFET 採用溝槽式技術，可完美平衡效能及可靠性。它結合 SiC 的出色特性：在高壓 SMD 封裝中提供精巧尺寸及低損耗，有助於讓我們的客戶大幅降低其輔助電源供應器的複雜性。」
1700 V 阻斷電壓消除了設計上針對過電壓餘度及電源供應器可靠度的疑慮。CoolSiC 溝槽式技術具備此電壓等級電晶體的最低裝置電容和閘極電荷。因此，與先進的 1500 V 矽 MOSFET 相比，其功率耗損減少了 50% 以上，效率也提升了 2.5%。與其他 1700 V SiC MOSFET 相比，其效率提升 0.6%。低損耗有助於打造尺寸精巧的 SMD封裝，以自然對流冷卻的方式進行組裝，不再需要散熱器。
全新 1700 V CoolSiC 溝槽式 MOSFET 適用於 +12 V/0 V 閘極源極電壓與一般 PWM 控制器相容的返馳式拓撲，因此，無需閘極驅動 IC，就能直接以返馳式控制器來運作。導通電阻額定值為 450 mΩ、650 mΩ 或 1000 mΩ。全新 7 引腳 D2PAK SMD 封裝提供 7 mm 以上的爬沿距離及空間距離，可實現一般 1700 V 應用的要求和 PCB 規格，將整個設計的隔離效果降到最少。採用 D2PAK-7L 封裝的 1700 V CoolSiC MOSFET 已開始批量上市。
