圖說：円星科技在台積電28奈米嵌入式快閃記憶體製程技術(TSMC 28nm Embedded Flash Process)所開發的SRAM Compiler矽智財解決方案，能為行動裝置、電源管理、物聯網、車用電子應用強化SoC設計的功耗表現。
円星科技(M31)宣布，將在台積電28奈米嵌入式快閃記憶體製程技術 (TSMC 28nm Embedded Flash Process) 開發SRAM Compiler IP，這些IP解決方案將能協助設計人員提升在行動裝置、電源管理、物聯網，車用電子等應用的SoC功耗表現。此系列矽智財預計於今年第3季提供客戶設計整合使用。
M31円星科技董事長林孝平表示，｢隨著網路傳輸頻寬的不斷加大，資料運算與儲存需求日增。円星科技在台積電領先業界的28奈米嵌入式快閃記憶體製程開發的IP，除了可以縮短設計週期，同時能降低SoC功耗並提高效能，可廣泛應用於高速的資料處理、電源管理，物聯網、車用電子，以及行動通訊等產品的設計上」。
台積電設計建構行銷事業處資深處長Suk Lee表示，「嵌入式快閃記憶體技術對於支援智慧行動，汽車電子和物聯網等廣泛應用至關重要。藉由M31與台積電28奈米嵌入式快閃製程技術努力合作開發的IP，將有助於設計人員優化SoC，實現速度，面積和功耗之間的成功平衡。」
此次M31円星科技以台積電28奈米嵌入式快閃記憶體製程技術開發的SRAM Compiler IP功能齊全，支援多種節能模式, 使用者可依據不同操作狀態，切換到當下最佳省電模式，來延長行動元件電池的使用時間，以提供客戶更多元的產品運用。基於優異的技術特性，此系列IP可以完全整合在嵌入式快閃記憶體製程平台上，預計今年第3季提供知名國際大廠採用。
未來M31円星科技將持續投入各項先進製程技術的IP開發與驗證，為全球晶片設計產業提供獨特的矽智財解決方案。
