圖說：隨著CoolGaN 600 V增強型HEMT和GaN EiceDRIVER柵極驅動IC的推出，英飛凌是目前市場上唯一一家提供涵蓋矽（Si）、碳化矽（SiC）和氮化鎵（GaN）等材料的全系列功率產品供應商。
英飛凌 (IFNNY) 攜氮化鎵（GaN）解決方案CoolGaN 600 V增強型HEMT和 氮化鎵驅動IC EiceDRIVER，於2018年德國慕尼黑電子展亮相。英飛凌展示了其產品優勢：它們具備更高功率密度，可實現更加小巧、輕盈的設計，從而降低系統總成本和營運成本，減少資本支出。
CoolGaN 600 V增強型HEMT：
新款 CoolGaN 600 V 增強型 HEMT 採用可靠的常閉概念，已優化實現快速開通和關斷。它們可在開關式電源（SMPS）中實現高能源效率和高功率密度。
CoolGaN 開關具極低的柵極電荷及反向導通狀態下的優異動態性能，進而大幅提高工作頻率，從而透過縮小被動元件的總體尺寸，提高功率密度。 英飛凌 CoolGaN 600 V 增強型HEMT在功率因數校正器（PFC）裡具有超高的能效（2.5 kW PFC能效 > 99.3％）。相同能效下的功率密度可達到160 W / in3（3.6 kW LLC能效 > 98％）。在諧振拓撲中，CoolGaN線性輸出電容可將死區時間縮短至八分之一到十分之一。
CoolGaN 的品管過程不僅對元件本身，還針對其在應用環境中的性能進行全面測試。這確保了CoolGaN開關滿足甚至超越最高品質標準。
CoolGaN 600 V增強型HEMT提供70 mΩ和190 mΩ的SMD封裝，確保優異的散熱性能和低寄生效應。透過推出全系列SMD封裝產品，英飛凌支援高頻運行的應用，如企業級超大規模資料中心伺服器、電信整流器、適配器、充電器、SMPS和無線充電設施等。
氮化鎵 EiceDRIVER驅動IC :
英飛凌新推出的氮化鎵EiceDRIVER驅動IC – 1EDF5673K、1EDF5673F和1EDS5663H — 是CoolGaN增強型HEMT的完美搭檔，專為確保CoolGaN開關實現強固且高效的運作所設計，同時最大限度地減少工程師研發工作量，加快產品上市時程。
不同於傳統功率MOSFET的柵極驅動IC，專為英飛凌CoolGaN量身定制的柵極驅動IC可提供負輸出電壓，以快速關斷氮化鎵開關。在開關應處於關閉狀態的整個持續時間內，GaN EiceDRIVER IC可以使柵極電壓穩定保持為零。這可保護氮化鎵開關不受雜訊影響導致誤導通，即便是首脈衝，這對於SMPS實現強固運作至關重要。氮化鎵柵極驅動IC可實現恒定的GaN HEMT開關轉換速率，幾乎不受工作迴圈或開關速度影響。這可確保運作穩健性和高能效，大大縮短研發週期。它整合了電氣隔離，可在硬開關和軟開關應用中實現強固的運作。它還可在SMPS一次側和二次側之間提供保護，並可根據需要在功率級與邏輯級之間提供保護。
GaN EiceDRIVER 1EDF5673K採用13引腳LGA 5×5 mm封裝，1EDF5673F採用16引腳DSO 150 mil封裝，1EDS5663H採用16引腳DSO 300 mil封裝。
