圖說：旺宏電子總經理盧志遠榮獲科技管理獎。
旺宏電子總經理盧志遠榮獲第十九屆中華民國科技管理學會「科技管理獎」。中華民國科技管理學會12月1日由理事長吳思華頒贈「科技管理獎」予盧志遠，以表彰他在科技管理上的傑出表現。除了對國內半導體產業具有卓越貢獻，在國際學術界也備受推崇，為學術研究與產業發展均有優異表現的跨界人才。
盧志遠長期投身於科技創新及尖端研發，不但是位傑出科研專家，且又能具體實踐應用。他早於1980年代中期於美國AT&T Bell Labs領導研究計畫時，即曾研發高達600V之BCDMOS IC技術，為當時業界最高伏技術；1987年，他也是全球首位於IEDM發表DRAM最詭譎的可靠性問題技術論文，促使業者大幅提升DRAM可靠度，之後領導研發0.6微米CMOS第六代Twin-tub製程技術，部份技術理論迄今仍被廣泛引用。而他於1989年受邀回台出任工研院電子所副所長，帶領工研院團隊執行台灣最大科專計畫─次微米計畫，不但讓台灣具備八吋晶圓產製能力，更成功將台灣推向世界高科技舞台。次微米計畫後衍生成立世界先進公司，成為催化台灣記憶體產業的重要推手。
1999年，盧志遠加入旺宏電子，專注非揮發性記憶體前瞻技術研發，帶領旺宏研發團隊持續在國際重要學術會議如IEDM、ISSCC、VLSI等發表多項次世代記憶體先驅技術，研發實力屢獲全球高度肯定。今年旺宏電子在2017國際電子元件大會IEDM再有四篇論文入選，其中一篇有關揭露嶄新3D NAND記憶晶胞架構的論文，也再次獲選為 “亮點論文”（Highlight Paper），為台灣產學研界唯一獲選的單位。而他所創辦的欣銓科技，證實晶圓級測試為可行的商業模式，更成為尖端半導體生產過程中不可或缺的一環，也獲得美國哈佛大學商學院(HBS)納為推廣教案。
浸淫半導體界逾30年，盧志遠積極鑽研電子元件及材料科技，發表超過 400多篇學術及技術論文，更擁有150餘項國際專利。由於對半導體界的貢獻良多，盧博士獲得許多國內外獎項及榮耀肯定，包括美國電機電子學會IEEE千禧傑出獎章、潘文淵文教基金會研究傑出獎、有科技研發工程師界奧斯卡獎之稱的IEEE Frederik Philips Award、國家最高榮譽科學研究獎項總統科學獎及世界科學院(TWAS)工程科學獎等，更獲得美國物理學會APS Fellow、IEEE Fellow、中華民國科技管理學會院士、工研院院士、台大傑出校友、交大名譽博士等榮銜。
