圖說：聽完精彩演講，魏哲家（右）贈送紀念品給廣受國際人士尊崇的施敏院士時，直呼十分榮幸！
2017台灣半導體產業協會（TSIA）15日舉行年會，由將在明年六月接任台積電總裁的新任理事長魏哲家主持。今年正值半導體最重要的兩個元件，「電晶體」及「浮閘記憶體」發明70週年與50週年，TSIA特別邀請浮閘記憶體發明人施敏（Dr. Simon Sze）院士發表專題演說，介紹孕育許多重要發明的研發基地，美國的貝爾實驗室（Bell Labs）。
電子元件計有一百多種，其中最重要的電晶體（Transistor）及浮閘記憶體（Floating Gate Memory），分別在1947年及1967年發明，今年適逢70週年與50週年。前者刺激了積體電路（IC）的發明，而後者是快閃記憶體的基礎，兩項發明都深遠地影響了全世界。
身為浮閘記憶體的發明人，施敏院士早已獲獎無數，而今年又再添一樁。國際電機電子工程師學會（簡稱IEEE）將於今年12月4日，頒獎給施敏院士與摩爾定律發明人Gordon Moore，兩人一起獲得2017年IEEE名人會員（Celebrated Member）的榮耀。加上施敏與Gordon Moore，IEEE名人會員累計至今只有九位，其中半數是諾貝爾獎得主。
施敏與台積電董事長張忠謀是美國史丹福大學的同門師兄弟，施敏攻讀博士學位時，比張忠謀高一屆，兩人都拜在指導教授John Moll（1921~2011）的門下。拿到博士學位後，施敏獲得多個工作機會，但最後他聽從了Moll教授的建議，選擇到貝爾實驗室專注研發工作。
對於研究人員而言，當年的貝爾實驗室，簡直是天堂。施敏說，他在貝爾實驗室做研究期間，工作上受到完全的支持與啟發，此外，重視自由合作的氣氛，也讓很多在外界不容易做到的跨領域交流，可以在此隨時發生。
從發明人的人數，可以看出電晶體與浮閘記憶體的發明，都是交流合作的成果。貝爾實驗室提供了最好的研究環境給科學研究人員，而科學家的研究成果則造福了全人類。1947年12月，貝爾實驗室的三位科學家，威廉．蕭克立（William B. Shockley, 1910~1989）、約翰．巴定（John Bardeen, 1908~1991）和沃爾特•布拉頓 （Walter H. Brattain, 1902~1987）發明了電晶體。他們三人也因該項發明，於1956年獲得諾貝爾物理獎。
1967年，貝爾實驗室又發明了浮閘記憶體。這是施敏和韓國籍的姜大元（Dawon Kahng）在休息時間腦力激盪出的發明，如今讓手機、數位相機、電腦、汽車、家電，以及所有電子產品都能使用到最經濟、省電的記憶體。
施敏說，當時他只是對於每天電腦開機需要40分鐘感到不耐，覺得應該好好針對電腦的磁圈記憶體提出改進才行。於是在喝咖啡的休息時間，就和姜大元認真討論起來。
2014年，施敏獲得全球快閃記憶體高峰會（Flash Memory Summit）終身成就獎，會中表彰他與姜大元發明了一種電子元件，即使沒插電也能持續保存資料，成為英特爾的EPROM、後來的EEPROM，以及快閃記憶體的基礎。
拔除電源後，資料仍在，這就是「浮閘記憶體」身為「非揮發性記憶體」（non-volatile memory，簡稱NVM）的特性。這項發明經歷五十年，累積了許多人的努力與創新，終於成就如今無所不在的應用。
施敏的學生，鈺創科技董事長暨TSIA前理事長盧超群強調，施敏除了以發明為全世界帶來福祉，他更是啟發台灣半導體人才的第一人。他在貝爾實驗室任職期間，多次留職停薪回台授課，推動了台灣的半導體人才培育，並為台灣進入半導體產業的世界舞台，奠定了堅實的基礎。
