圖說：群聯提供新世代UFS 之IP授權服務，目前群聯電子在UFS 3.0規格上建構自有IP，與各國際NAND Flash廠商達成合作，順利完成UFS 3.0 控制晶片設計，並預計2018年下半年量產。
全球快閃記憶體 (NAND Flash) 控制晶片解決方案廠商群聯電子發表最新世代UFS (Universal Flash Storage) 3.0規格設計，除了終端應用客戶之外，為符合半導體業內晶片設計業者異質整合需求，群聯電子6日宣佈，提供UFS 3.0 矽智財(IP) 解決方案之授權服務。
2017國際行動記憶體技術論壇JEDEC Mobile & IoT Forum確立次世代快閃記憶體主流規格，群聯電子董事長潘健成擔任JEDEC Mobile & IoT Forum技術論壇開場佳賓，群聯電子產品專案管理處長陳禹任並受邀於台灣新竹、韓國首爾主講UFS 3.0 控制晶片的設計理念。
陳禹任表示，控制晶片是高速UFS行動記憶體的心臟，專責複雜的NAND Flash管理，同時提供高速效能及可靠性。目前JEDEC正著手進行制定UFS 3.0規格，其表現相較於USB 3.0 Gear 4 雙通道頻寬可達2400MB/s, 相當於目前主流規格eMMC 的六倍，堪比高速的PCIe介面，因此預期UFS 3.0規格在兩年後會成為所有旗艦手機存儲主流。目前群聯電子在UFS 3.0規格上建構自有IP，與各國際NAND Flash廠商達成合作，順利完成UFS 3.0 控制晶片設計，並預計2018年下半年量產。
群聯電子技術長馬中迅指出，群聯電子自9月份開始正式提供UFS 3.0 IP授權服務。馬中迅表示，著眼於智慧行動裝置未來勢必與各項智慧終端互聯，因此由高速介面MIPI聯盟所主導之UFS規格，預計將降低介面設計的複雜性與困難度，以提高行動裝置內部連結性及相容性，並成為各平台系統介面的通用的接口，讓智慧行動裝置連結應用延伸至個人電腦、車用電子、物聯網等其他領域。因此群聯電子可授權之UFS 3.0 IP解決方案，可廣泛應用在不同功能的行動應用處理器(AP)晶片之開發、UFS Reader以及UFS Storage 裝置，讓晶片開發商在設計下一代的晶片時能導入最新規格的UFS介面。
在高速、低功耗同步發展的新技術上，群聯電子UFS 3.0 IP提供最新版之M-PHY V4.1展現高速Gear 4效能，其數據傳輸最高速度相較於前版規格提高一倍，雙通道的架構(2 Lane)每秒每通道可達11.6兆位元的傳輸速率(11.6Gbps/Lane)，並支援從Gear 1到Gear 4的Rate A和Rate B的所有模式，並增加了Eye Open Test Mode，讓系統具備高精準的分析及除錯力，另方面，群聯電子UFS 3.0 IP亦整合M-PHY V4.1以及自有開發的UniPro v1.8 IP，可確保和M PHY之間的相容性和最佳的效能，減少客戶端系統整合的時間，並提供在高效能的操作過程中低功耗的電源管理模式。
異質整合能力已成為各不同晶片設計業者技術突破的新指標，群聯電子累計17年自有技術能量，提供多項高質量之快閃記憶體矽智財授權服務，除了最新發表的次世代UFS 3.0 IP解決方案之外，目前亦提供包括有PCIe PHY、SATA PHY、USB PHY、LDPC等主流快閃記憶體IP之授權服務。
