圖說：漢辰科技總經理鄧念濠（左）及台灣總經理任克川（右）攜手合作多年，技術與服務已獲國際級半導體及DRAM廠肯定。日前捐贈該公司開發之『高電流離子植入機』予國家奈米元件實驗室 (NDL)，投入先進奈米技術研究。
首開先例！
台灣自製半導體尖端設備贈國家研究單位NDL
首開先例！漢辰尖端設備贈 NDL
- 2010.01.25
- 撰稿：王麗娟 Janet Wang攝影：李慧臻 Jane Lee漢辰科技(AIBT) 1月19日捐贈先進半導體製程機台『高電流離子植入機』予國家實驗研究院國家奈米元件實驗室 (NDL)。寫下台灣自製半導體尖端製程設備捐贈國家級研究單位的先例。造價上億，開先例！離子植入機為半導體製程中具關鍵性、且難度最高的機台之一，過去學術研究單位缺乏此類型的機台供實驗試產，漢辰科技所捐贈的機台，造價新台幣上億元，將提供NDL進行奈米技術研究開發。漢辰科技董事長黃民奇出席捐贈典禮，將該公司自行研發的『高電流離子植入機』一部，捐贈予NDL，由NDL主任楊富量代表接受。近年來經濟部工業局積極推動半導體產業設備本土化，訂立2012年半導體前段設備自製率由目前5%提升到20%、後段設備自製率由25%提升到60%、耗材零組件自製率由20%提升到80%的重要發展目標。漢辰科技從2003年成立，投入高電流的離子植入機開發，可說是將自己投身於一場高難度的國際競爭賽中。在資金上，需要持續投資，成本高昂而回收耗時；在技術上，更需整合出令人刮目相看的尖端技術，才有機會與原來寡佔市場的設備大廠互別苗頭。漢辰科技挑戰的是，不僅所開發的產品，功能要符合客戶期望，還要能夠兼顧成本效益，是在走一條別人沒有走過的路。該公司所開發的離子植入機，為本土廠商所推出的最貴重的機台，二年前已打入國際級半導體廠的供應鏈中，目前更進一步與客戶合作，投入22奈米技術開發中。充實NDL 奈米研究能量代表接受捐贈的NDL主任楊富量表示，感謝漢辰捐贈造價如此昂貴的半導體尖端製程設備，讓NDL與美國SEMATECH、歐盟IMEC及日本國家級研究機構得以並駕齊驅，同樣擁有該項奈米製程關鍵設備。圖說：這群人將攜手為奈米技術研究打拼。右起：NDL技術長戴寶通、漢辰科技台灣總經理任克川、NDL主任楊富量、國家實驗研究院副院長王永和、漢辰科技總經理鄧念濠、漢辰科技薛士雍、NDL廠長黃健朝、NDL副主任吳文發、NDL組長林必窕、漢辰科技業務副理張國忠。NDL領先全球，開發出第一個16奈米的功能性靜態隨機存取記憶體（SRAM）單位晶胞，應用該技術的16奈米元件，將使電腦與手機上的主機板，更小更省電。楊富量表示，身為學術研究單位，最大的價值在於「無中生有」。未來NDL未來將分享先期研究的寶貴經驗，希望這場產研合作，可以成就高科技新市場的最佳典範。圖說：國家實驗研究院副院長王永和，出席捐贈典禮。國家實驗研究院副院長王永和也出席捐贈典禮。2003年6月成立的國家實驗研究院，主要任務在於建構實驗研究平台、支援學術研究、推動前瞻科技及培育科技人才。王永和指出，奈米實驗需要很昂貴的設備，二手設備的過去捐贈者不少，但這回漢辰科技捐贈全新、且造價昂貴的高電流離子植入機，可謂空前紀錄。全球半導體製程設備的產業鏈，從「研發」、「製造」、「銷售」與「技術服務」各有分工。漢辰科技董事長黃民奇指出，全球半導體製程設備產業，若以規模來看，名列前茅者有美國、歐盟、日本、以色列及韓國。但若以「科技原創性」的角度看，漢辰科技可以在前段半導體設備中，排名第四，緊隨在美國、歐盟及日本之後。黃民奇致詞時表示：「這是國人所開發的設備，捐贈給國內最高的研究單位，意義重大。」技術原創受矚目 半導體製程設備的競爭，是大規模、且慘烈的。2007年初，全球最大半導體設備商應用材料（Applied Materials）做下一個重大決定：退出離子植入機市場。從此，市場快速由對手瓦里安（Varian）攻佔。導致應用材料做下重大痛苦決定的關鍵點在於，應用材料的離子植入機，強調的是產能效益高的批次作業方式，但從90奈米製程以下，客戶發現，一片一片來的單晶片作業，可能比較不會有閃失。圖說：漢辰捐贈的高電流、低能量離子植入機iStar，已進駐NDL實驗室。2007年，漢辰科技開發的高電流離子植入機除了採批次作業的iStar外，隨即快速開發出單晶片作業的iPulsar。在製程設備產業中算是新秀，漢辰能在短短時間內獲得客戶青睞，從零開始，拿下二成市場佔有率，關鍵在於，技術的原創性。該公司台灣總經理任克川指出，iPulsar算是把單晶片作業的高電流離子植入機做得最先進的。該設備獨創以能量過濾器（Energy filter），過濾掉不純的能量，做到完全「沒有能量污染」（Energy Contamination Free），另外，在掃瞄方式也兼備單維及雙維（1D, 2D）技術供客戶選擇，能做出效能最佳的元件。2007年推出後，隨即獲得客戶的試用，並於2008年正式上線。2007年全球半導體製程設備締造歷史新高，達360億美元（36 billion），其中，離子植入機約佔13億美元。2009年由於金融風暴影響全球經濟，離子植入機市場大幅下滑至3.7億美元左右。展望未來幾年，市場研究機構Dataquest預估保守，認為將緩升至5億美元。『Wa-People!』小檔案 -【漢辰科技】漢辰科技 (Advanced Ion Beam Technology, AIBT) 成立於2003年，網羅離子植入技術最頂尖的開發人才、以及對半導體製程應用具經驗的專家，其所開發之設備，為半導體製程中具關鍵性、且難度最高的高電流離子植入機。漢辰的iPulsar 提供晶圓廠45奈米以下先進製程的離子植入設備及技術，以降低晶圓廠的生產成本，漢辰以其革命性技術及值得信任的全球生意夥伴，降低移轉風險，確保客戶最有附加價值的解決方案。漢辰網站：www.aibt-inc.com『Wa-People!』小檔案 -【國研院奈米元件實驗室】國研院奈米元件實驗室 (National Nano Device Laboratories, NDL)位於新竹市科學工業園區，隸屬於財團法人國家實驗研究院。NDL自1988年成立以來，致力於支援國內學術界開發先進半導體製程技術方面的研究及培育業界所需半導體人才。NDL近年來以傳統矽奈米晶圓製程技術為基礎，進行前瞻CMOS元件、能源光電與生醫微機電製程技術的拓展與轉型，以確實提供產、學、研所需之服務。NDL網站：www.ndl.org.tw
