全球非揮發性記憶體領導廠商旺宏電子於9月20日宣佈，該公司製程技術進度超前，跳過90奈米，直接導入75奈米製程的NOR型快閃記憶體(NOR Flash Memory)，將於第四季量產。
旺宏推出的75奈米製程NOR型快閃記憶體(NOR Flash Memory)，將廣泛應用於網路通訊、電腦、消費電子與手持式裝置等應用市場。首顆產品為256Mbit 並行式NOR型快閃記憶體 (Parallel NOR Flash Memory)，已送樣予全球Wi-Max, GPON, 數位機上盒等OEM領導廠商，商機值得期待。
十億位元級被動光纖網路GPON（Gigabit Passive Optical Network）最大的吸引力在於，其傳輸速率，是寬頻被動光纖網路BPON（Broadband Passive Optical Network）的四倍。
以美國最大的電話公司及最大的無線通信公司Verizon為例，為了滿足傳輸資料量龐大的影音檔案，支持3D電視、多玩家遊戲，以及高解析度的視訊會議等用戶需求，目前就正在如火如荼地建構新的GPON網路。
跟過去的BPON網路相比，新的GPON網路可提供每秒下載2.4G位元（2.4Gbps）、上傳622M位元（622Mbps）的資料傳輸率，一般光纖會再細分為32道，所以分到每個通道用戶，則可提供下載80M位元（80Mbps）、上傳20M位元（20Mbps）資料量的傳輸率。
旺宏累積20年生產製造經驗，在嵌入式系統及行動通訊市場，普獲肯定，這次以75奈米的先進製程能力，推出新款NOR Flash，將可進一步加快中高階容量產品的產出，以滿足因網路應用對程式碼 (Boot code) 容量持續增加，所帶來的的強勁需求。
旺宏行銷處副處長林民正指出：「旺宏NOR Flash製程推展至75奈米，充份展現了我們產品規劃的實現能力。新產品不僅與原產品相容、性能更佳，在生產成本控制上，也為客戶提供了有效的解決方案」。
林民正說，為了持續滿足廣大應用市場客戶的需求，旺宏NOR Flash下一代製程將再跨入57奈米。而新購的12吋晶圓廠，將是旺宏持續推進新製程的基地。
除了既有市場，旺宏的75奈米製程也是低電壓產品的技術平台。所推出的1.8V低電壓產品，具輕薄短小與低耗能等優勢，鎖定客戶族群包括手持式裝置與可攜式應用市場。
旺宏已推出首顆75奈米256Mb並行式NOR 快閃記憶體 （Parallel NOR Flash）樣品，將於第四季開始量產，緊接著序列式（Serial）與並行式（Parallel）64Mb 與128Mb 家族系列產品，也將陸續導入75奈米製程。
