NAND Flash 2011,投資大於DRAM

圖說:2011年,NAND Flash記憶體的設備投資大於DRAM。應用材料公司半導體全球事業群總經理暨台灣區總裁余定陸說,2011年,對NAND Flash記憶體而言,是「很重要的轉折點」。

持續採訪「非揮發性記憶體」的發明人,施敏教授(Dr. Simon Sze),已經兩年多。他的發明,啟發了Flash快閃記憶體的革命。如今,NAND Flash 記憶體,更進一步邁進醒目耀眼的年代。

12月16日,參加了美光科技(Micron)的NAND Solutions Group 的新產品發表會,主軸是「新型高容量快閃記憶體產品組合,取名ClearNAND 的產品內建NAND錯誤修正能力,將可延長未來NAND Flash的產品壽命」。

Micron 投入NAND Flash的時間,比起競爭者,算是較慢起步的。不過,Micron 此時推出25nm MLC製程的兩款NAND Flash產品,可算是業界最早推出25nm NAND Flash 的先驅。

兩款Micron NAND Flash新產品,其一是8-32GB的標準型,鎖定可攜式媒體播放器及各種消費性電子產品用戶。其二是16-64GB的加強型,瞄準企業及運算等應用。

隨著NAND Flash 記憶體越來越普及地被應用於無線、消費性電子產品、運算及企業用戶等市場,包括平板電腦、大量採用快閃記憶體的筆記型電腦,以及高階智慧型手機與資料中心伺服器等,都為NAND Flash記憶體市場帶來強勁的需求。

全球奈米製造技術領導廠商應用材料公司半導體全球事業群總經理暨台灣區總裁余定陸於2010與2011年交接之際,談到NAND Flash記憶體的設備投資。他指出,2011年,是半導體產業史上第一回,廠商用於NAND Flash記憶體的資本支出,遠遠大於DRAM。

他強調,2011年對NAND Flash記憶體而言,可說是「百花齊放」,是「很重要的轉折點」。
余定陸也談到市場的驅動力,包括平板電腦、固態記憶體(SSD),智慧型手機(smart phone)等新應用,都給NAND Flash記憶體帶來強勁需求。他認為,NAND Flash記憶體的成長力道,將會持續好些年。

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