圖說：格棋舉行中壢新廠落成儀式，左起格棋化合物半導體技術長葉國偉、董事長張忠傑、副總經理賴柏帆。
台灣專業碳化矽（SiC）長晶技術領導廠商格棋化合物半導體，今（23）日舉行中壢新廠落成典禮，並宣布與國家中山科學研究院合作，雙方將共同強化在高頻通訊技術領域的應用。
此外，格棋也和日本三菱綜合材料商貿株式會社簽署合作協議，雙方將致力於擴大日本民生用品和車用市場的布局。
新廠擴產 提升競爭力
格棋成立於2022年，專注於化合物半導體長晶等第三代化合物半導體的工藝技術開發。研發團隊成員在化合物半導體領域擁有豐富經驗。格棋中壢新廠總投資金額達新台幣6億元，預計2024年第四季達到滿產。其中6吋碳化矽晶片月產能可達5,000片，至2024年底，新廠將安裝20台8吋長晶爐及100台6吋長晶爐，大幅提升整體產能。除此之外，新廠還可提供超過50個就業機會。
格棋董事長張忠傑表示：「中壢新廠的落成是格棋發展的重要里程碑。我們將持續投資先進設備與技術，以滿足日益成長的市場需求，鞏固全球碳化矽供應鏈中的關鍵地位。」
因應全球ESG趨勢，格棋中壢新廠規劃導入能源管理系統及儲能系統，並整合再生能源系統，透過削峰填谷方式平衡能源需求，減少高峰時段的能源負荷，進一步降低能源成本及碳排放。
格棋宣布與中科院合作 盼擴大競爭優勢
在新廠落成之際，格棋宣布與中科院簽署合作協議，雙方將共同開發高頻通訊用碳化矽元件，透過此次合作加速進軍高頻通訊碳化矽市場的腳步，為5G/B5G通訊基礎建設提供關鍵元件。中科院院長李世強博士指出：「隨著通訊頻段不斷提高，具有高電子遷移率的化合物半導體元件逐漸取代傳統矽基高頻元件。我們期待與格棋的合作能為台灣在高頻通訊領域帶來突破性進展，強化國家在全球通訊產業鏈中的戰略地位。」
圖說：格棋化合物半導體董事長張忠傑（左）與中科院副院長簡定華（右）簽署合作協議。
格棋與三菱綜合材料商貿簽署協議 共同拓展日本市場
另一方面，格棋亦宣布與三菱綜合材料商貿簽署合作協議，將由三菱綜合材料商貿向日系客戶提供6吋和8吋晶錠（INGOT）、晶圓（Wafer）磊晶片（EPI Wafer）材料，格棋負責整合台灣合作夥伴資源，向日本客戶供應6吋和8吋晶錠（INGOT）、晶圓（Wafer）與磊晶片（EPI Wafer）。三菱綜合材料商貿社長橋本良作表示：「台灣和日本在半導體產業皆具關鍵影響力。我們看好碳化矽元件在日本市場的發展前景，相信與格棋的合作將為雙方帶來互利共贏的機會。」
圖說：格棋化合物半導體董事長張忠傑（左）與三菱綜合材料商貿社長橋本良作（右）簽署合作協議。
技術優勢 引領產業發展
格棋擁有獨特的碳化矽晶體成長技術，包括特殊的晶種結合方法、即時監控系統、塗層技術，以及原料控制和熱處理技術，其核心技術可有效提升晶體質量，降低缺陷密度，為客戶提供高品質、高可靠性的碳化矽晶圓。
格棋技術長葉國偉博士強調：「碳化矽半導體憑藉高效、高頻和耐高溫等特性，在電動車、混合動力車及5G通訊等領域有著廣泛應用。隨著技術日益成熟，成本逐漸下降，市場需求快速增長。我們的目標是透過持續創新，鞏固公司在全球碳化矽供應鏈中的核心地位。」
隨著中壢新廠的落成，以及與不同領域夥伴的戰略合作，格棋化合物半導體正式邁入另一發展階段，未來將持續投資研發，優化製程技術，提供客戶高品質的碳化矽晶圓產品，強化台灣在全球第三代半導體產業中的領先地位。
