圖說：聯電技術開發部副總經理徐世杰表示，聯電很高興與力旺合作，持續強化AIoT與車用市場的嵌入式記憶體方案。
矽智財公司力旺電子（eMemory）與聯電（UMC）共同宣布，力旺的可變電阻式記憶體（RRAM）矽智財已通過聯電22奈米超低功耗的可靠度驗證，為聯電的AIoT與行動通訊應用平台提供嵌入式記憶體解決方案，未來雙方也將持續合作開發車用規格的RRAM。
力旺電子提供的8Mb RRAM IP具有額外的16Kb資訊儲存區塊和內部修復與錯誤偵測/修正等關鍵功能，可用於IoT設備中的微控制器和智慧電源管理IC的編碼儲存，還可支援人工智慧之記憶體內運算架構。聯電提供22奈米的0.8V/2.5V RRAM平台，使用較少的光罩層數、較短的生產週期和更容易與BCD、高壓等特殊製程整合的優勢。
「對40奈米、22奈米和高階製程而言，RRAM是不可或缺的多次編程嵌入式記憶體選項。力旺的下一個RRAM開發目標是對應汽車應用需求，在22奈米 0.8V/2.5V 平台實現更高的儲存密度(16Mb)、更快的速度、更高的寫入溫度耐受度和持續提升的覆寫能力。」力旺電子技術長暨第二事業群總經理林慶源表示：「此外，我們繼續推進在0.8V/1.8V ULP上的開發。憑藉其用於讀取和寫入模式的低工作電壓，力旺的RRAM將成為主流技術平台上最具成本效益的eFlash解決方案，並可擴展至更多製程節點。」
聯電技術開發部副總經理徐世杰表示：「隨著AIoT應用不斷地拓展，市場對低功耗非揮發性記憶體的需求逐漸增加。力旺電子的IP成功的在聯電22奈米RRAM平台完成驗證，為客戶在開發下一代產品時提供更強大的記憶體解決方案。聯電致力於提供多元和差異化的特殊製程技術，我們很高興與力旺電子合作，持續強化AIoT與車用市場的嵌入式記憶體方案。」
力旺電子的RRAM IP具有一萬次覆寫能力和長達10年的數據保留，並可承受高達105度的高溫。為了方便用戶，這款RRAM IP設計具備友善的介面、完整的使用者模式和測試模式，並可在0.8V/2.5V標稱雙電壓接口下進行編程。RRAM不需對前端製程做額外調整，並採用低溫後端製程，幾乎不會產生額外的熱預算，因此備受市場期待。與分離閘快閃記憶體(split-gate Flash)相比，RRAM具有相對簡單的結構、使用較少層的光罩、較友善的製程和更高的CMOS製程兼容性。在對性能要求相對嚴格的汽車應用中，RRAM與MRAM相比，具有更佳的抗磁能力。
