圖說：英飛凌推出新款 EasyDUAL CoolSiC MOSFET 功率模組，採用高性能陶瓷材料，可大幅提高功率密度並縮小設計尺寸。
英飛凌 （Infineon） 利用新型氮化鋁 （AIN） 陶瓷基板，成功改良 EasyDUAL CoolSiC MOSFET 模組。此半橋式裝置有 EasyDUAL 1B 及 EasyDUAL 2B 兩種封裝型式，導通電阻（RDS（on））依序各是 11 mΩ 及 6 mΩ。新款 1200 V 裝置採用高性能陶瓷，因此適合高功率密度應用，如太陽能系統、不斷電系統、輔助變頻器、儲能系統及電動車充電器等。
EasyDUAL 模組之 FF11MR12W1M1_B70 和 FF6MR12W2M1_B70 裝置採用最新 CoolSiC MOSFET 技術，閘極氧化層可靠度極佳。經過改良的 DCB 材料導熱性，可降低至散熱片之熱阻（RthJH）高達40% 。CoolSiC Easy模組結合新型 AIN 陶瓷，不僅可提高輸出功率，還能降低接面溫度，進而大幅延長系統壽命。
供貨情況
EasyDUAL CoolSiC MOSFET 模組之 FF11MR12W1M1_B70 及 FF6MR12W2M1_B70 裝置已經上市。
