圖說:ASML總裁暨執行長溫彼得 (Peter Wennink) 表示，EUV 現在已經接近量產階段。
艾司摩爾 (ASML)宣佈接獲一美國主要客戶訂單，至少採購15台EUV極紫外光微影系統。該客戶預計將EUV 微影系統用於未來先進製程。新訂單中的 2台NXE:3350B EUV系統，預計2015年底前完成出貨。
以「極紫外光」(EUV)光源，取代原本主流微影技術「浸潤式微影」 (immersion Lithography)，是ASML針對半導體微影製程，最重要的創新之一。這項創新讓微影光源的波長，從193奈米變成13.5奈米，突破影像解析度的極限，最大的好處是，只需一次曝光就能轉印出更小、解析度更好的電路圖。
速度與良率，是ASML滿足客戶要求生產效率的兩個關鍵。2014年，ASML證明一天完成500片晶圓的曝光；2015年更達一天曝光1000片晶圓的成績。從 NXE：3300B到NXE：3350B EUV 系統，如果良率相同的話，可說生產力倍增。
ASML總裁暨執行長溫彼得 (Peter Wennink) 表示，「EUV 現在已經接近量產階段。在長期規劃和周邊支援系統(ecosystem) 的準備方面，EUV都獲得業界的強力支持，這將啟動全球半導體產業的另一波創新。」
2015年第一季為止，NXE:3300B EUV系統全球已出貨8台，其中，已出貨到TSMC的2台，將升級到NXE:3350B。此外，TSMC於2014年底訂購的2台NXE:3350B，也將在2015年到貨。
