本案投資金額為新台幣1億元,由本國企業漢辰科技股份有限公司投資設立,除研發及製造離子植入機。
離子植入機是晶圓廠在前段製程中必要的一道製程,與全球晶圓廠產能擴充進度與需求息息相關,其離子植入原理為先在高真空下,產生電漿源,再利用分析磁場將所需的離子篩檢出,最後再植入於 12吋或8吋晶圓中,以改變矽晶片的導電特性,本案公司可為尖端元件製程提供極具生產競爭力的高電流離子植入機。隨著半導體製程微縮的元件需求,對於高電流離子植入設備需求將日益增加。
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