圖說: 應用材料全新的Endura Copper Barrier Seed IMS 銅阻障層晶種整合性材料解決方案，在高真空環境下將七種不同製程技術整合在同一套系統中，改善晶片效能與功耗。
應用材料全新的Endura Copper Barrier Seed IMS 銅阻障層晶種整合性材料解決方案，在高真空環境下將七種不同製程技術整合在同一套系統中，改善晶片效能與功耗。 這項嶄新的佈線工程設計方法，能促使先進邏輯晶片微縮到 3 奈米節點及更小尺寸。
尺寸縮小雖有利於提高電晶體效能，在導線佈線方面卻正好相反：較小的導線會產生更大的電阻，讓效能降低並增加功耗。若無法在材料工程方面有所突破，從 7 奈米節點縮到 3 奈米節點，導線通路電阻將增加 10 倍，反而失去電晶體微縮的好處。
應用材料已開發出一種Endura Copper Barrier Seed IMS (銅阻障層晶種整合性材料解決方案)的全新材料工程解決方案。這是一項整合式材料解決方案，在高真空環境下將七種不同製程技術整合在一套系統中，這七種技術分別是：ALD(原子層沉積)、PVD(物理氣相沉積)、CVD(化學氣相沉積)、銅回流、表面處理、介面工程和量測。該組合使用選擇性 ALD 取代共形 ALD，消除通路介面處的高電阻率阻障層。這項解決方案還加入銅回流技術，在狹窄特徵中實現無空隙填充。通路接觸介面的電阻減少 50%、提升晶片效能和功耗表現，能夠持續將邏輯晶片微縮到 3 奈米及更小尺寸。
應用材料資深副總裁暨半導體產品事業群總經理帕布‧若傑(Prabu Raja) 表示：「一顆智慧型手機晶片內含數百億個銅導線，佈線已用掉晶片三分之一的功率。在真空中整合多種製程技術，讓我們能夠重製材料和結構，讓消費者擁有功能更強大的裝置及更長的電池使用時間。這項獨特的整合解決方案是專為協助客戶加快發展效能、功率和面積成本的技術藍圖。」
全球各大晶圓代工邏輯客戶現已使用 Endura Copper Barrier Seed IMS 系統。應材已於 2021 年邏輯晶片大師課程 (2021 Logic Master Class) 中，討論更多有關這項系統及其他邏輯晶片微縮創新技術的資訊。
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