這是一款喚起我好奇的新設備。
化學氣相沈積（CVD）設備是不陌生的，但這回，新的CVD產品，有幾個重要的關鍵字。
最跳尖的有：「流動式」、「1:30」及「十年」這幾個字眼。
首先是「流動式」化學氣相沉積系統，原文是Flowable CVD，宣稱能「用電流隔絕」記憶體及邏輯晶片設計中「20奈米」及以下製程的淺溝電晶體，具高品質的電介質薄膜，是首樁也是唯一可處理薄膜沉積的技術。
其次是窄口深井填洞能力，井口／底比例達「1:30」。
針對電晶體與電晶體間的淺溝層，好似一口深井，井口很窄、但井底很深，要你把這口井密實地填滿，這可不容易的！
應用材料的新款設備，宣稱可以完成井口／底比例達「1:30」的填洞任務，較目前技術需求高出五倍。此款流動式化學氣相沉積系統，除了填洞外，並可產出緊密、無碳的介電質薄膜，比液態旋轉式薄膜(spin-on)沉積方式的便宜。
第三點，這項新產品似乎讓應用材料公司很有信心，該公司副總裁暨DSM/ CMP產品處總經理比爾‧麥可林塔(Bill McClintock)表示，新的Eterna流動式化學氣相沉積系統，可讓應用材料持續維持「10年」以上的填洞技術領導地位。
這款流動式化學氣相沉積設備，於20奈米製程中淺溝隔絕層填洞能力，已獲多家半導體業者肯定，目前已裝在六處DRAM、快閃記憶體及邏輯應用客戶端的機台上。
