圖說：英飛凌推出採用 TO247-4-4 封裝的2000 V CoolSiC MOSFET
英飛凌科技（Infineon）推出採用 TO-247PLUS-4-HCC 封裝的全新 CoolSiC MOSFET 2000 V 裝置，不僅能夠滿足設計人員對更高功率密度的需求，而且即使面對嚴格的高電壓和開關頻率要求，也不會降低系統可靠性。CoolSiC MOSFET 具有更高的直流母線電壓，可在不增加電流的情況下提高功率。作為市面上第一款擊穿電壓達到 2000 V 的碳化矽分立元件，CoolSiC MOSFET 採用 TO-247PLUS-4-HCC 封裝，爬電距離為 14 mm，電氣間隙為 5.4 mm。該半導體元件得益於其較低的開關損耗，適用於太陽能（如組串逆變器）以及儲能系統和電動汽車充電應用。
CoolSiC MOSFET 2000 V 產品系列適用於最高 1500 VDC 的高直流母線系統。與 1700 V SiC MOSFET 相比，這些元件還能為1500 VDC 系統的過壓提供更高的裕量。CoolSiC MOSFET的基準閘極閾值電壓為 4.5 V，並且配備了堅固的本體二極體來實現硬換向。憑藉.XT 連接技術，這些元件可提供一流的散熱性能，以及高防潮性。
除了 2000 V CoolSiC MOSFET 之外，英飛凌近期也將推出配套的 CoolSiC 二極體：首先將於 2024年第三季度推出採用 TO-247PLUS 4 引腳封裝的 2000 V 二極體產品組合，隨後將於 2024 年第四季度推出採用 TO-247-2 封裝的 2000 V CoolSiC二極體產品組合。這些二極體非常適合太陽能應用。此外，英飛凌還提供與之匹配的閘極驅動器產品組合。
