英飛凌推第六代 650 V CoolSiC 肖特基二極體

圖說:英飛凌新650 V CoolSiC 肖特基二極體G6。

圖說:英飛凌推出新650 V CoolSiC 肖特基二極體第六代G6。 

英飛凌科技(IFNNY) 推出 650 V CoolSiC 肖特基二極體第六代G6。這項 CoolSiC 二極體系列的最新發展以第五代 G5 的獨特特性為基礎,讓 600 V 與 650 V CoolMOS 7系列的功能更完善,適用於伺服器、PC 電源、電信設備電源及 PV 變頻器等目前與未來的應用。

650 V CoolSiC 肖特基二極體 G6 具備全新配置、單元結構以及專有的肖特基材料系統,因此達成了VF (1.25 V) 以及 Qc x VF優質係數 (FOM) 較前代產品低了 17%。另外,新款 G6 二極體運用碳化矽的強大特性,包括不受溫度影響的切換特性以及無逆向回復電荷等。

此裝置的設計可在所有負載情況下提供更高的效率,同時提高系統功率密度,因此,650 V CoolSiC 肖特基二極體G6 的散熱需求降低、系統可靠性提升,並提供極快的切換速度,是最具性價比的 SiC 二極體產品世代。

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