圖說：應用材料發布全新蝕刻系統Sym3 Y， 能用於 3D NAND、DRAM 與代工邏輯節點的關鍵導體蝕刻應用，已出貨5,000 個 Sym3 反應室，是該公司史上量產最快速的產品。應用材料公司宣布，在 Centris Sym3 蝕刻產品系列中加入一項新產品，能幫助晶片製造商精準圖形化，在尖端記憶體晶片與邏輯晶片中打造出尺寸體積更小的功能。
全新的 Centris Sym3 Y 是應材最尖端的導體材料蝕刻系統，運用創新的射頻脈衝技術，依據客戶需求提供非常高的材料選擇比、深度控制與輪廓控制，在 3D NAND、DRAM 與邏輯晶片中打造出最密堆疊的高深寬比結構，包括 FinFET (鰭式電晶體) 和新型的閘極全環 (gate-all-around) 架構。
其中Sym3 產品系列具有一項獨特的技術特色是高傳導反應室架構，能快速且有效地清空蝕刻副產物，這些副產物會隨著每片晶圓通過時逐漸累積。Sym3 Y 系統延伸這項成功的架構的優勢，運用專用的全新塗層材料來保護反應室關鍵的元件，進而減少缺陷，提升良率。Sym3 蝕刻系統自 2015 年推出以來，已成為應材史上量產最快速的產品，公司才剛出貨第 5,000 個反應室。
Sym3 產品系列是應材策略成功的關鍵，提供客戶打造與材料圖形化的新方法，協助推出新穎 的3D 結構，以及持續微縮2D結構的新方法。應材運用獨特的 CVD 圖形化薄膜，與Sym3 系統進行共同最佳化，促進客戶增加 3D NAND 記憶體元件中的層數，並減少四重圖形化在DRAM應用層所需的步驟。並結合應材的尖端電子束檢測技術一同佈署應用，希望加速業界最先進節點的研發及高產能的生產，協助客戶改善晶片功率、性能、面積成本及上市時間 (PPACt)。
應用材料公司副總裁暨半導體產品事業群總經理慕肯德‧斯林尼凡森 (Mukund Srinivasan) 博士表示：「在2015 年推出 Sym3 系統時，應材以新策略重新打造導體材料蝕刻，解決了蝕刻在 3D NAND 與DRAM最為棘手的蝕刻挑戰。現今，我們在最先進的記憶體和代工邏輯節點中，看見關鍵蝕刻與EUV圖形化應用都有強大的發展動能與成長，我們也會持續提高標準，協助推動新一代的晶片設計。」
每組 Sym3 Y 系統都包含多個蝕刻與電漿清洗晶圓製程反應室，由系統智能管控，確保製程中所有反應室都精準吻合，能持續得到相同成果和高產能。這項全新系統已為全球多家領先的 NAND、DRAM 與代工邏輯客戶所採用。
