應用材料公司Endura Ventura 物理氣相沉積系統，協助客戶降低成本，製造出體積更小、低耗能及高性能整合型 3D 晶片。這套系統將應用材料公司最新的多項創新技術結合到領先業界的物理氣相沉積 (PVD*) 技術，能在矽穿孔 (TSV) 架構上沉積連續的阻障層和晶種層薄膜。 Ventura 系統展現應用材料公司的精密材料工程技術之時，也獨特地支援以鈦作為阻障層量產的替代材料，節省更多成本。隨著 Ventura 系統的推出，應用材料公司對於晶圓級封裝 (WLP) 應用的設備更形完備，這些應用包括矽穿孔 (TSV) 、重佈線路層 (RDL) 和凸塊製程 (Bump*) 等。
矽穿孔 (TSV) 是垂直製造更小、更低耗能的未來行動與寬頻裝置的關鍵技術。所謂孔洞 (Vias) 是貫穿矽晶圓的垂直導線，連接晶粒的主動面和背面，提供晶片間最短的連結通道。 3D 立體堆疊要求矽穿孔的通孔深寬比大於 10:1 ，以進行銅金屬電鍍。應用材料公司最新 Ventura 設備機台，運用創新材料及薄膜沉積技術，有效克服製程挑戰，能製造比過去業界解決方案更具成本效益的矽穿孔。
應用材料公司副總裁暨金屬沉積產品處總經理桑德．拉瑪莫斯 (Sundar Ramamurthy) 博士表示：「憑藉 15 年在銅導線技術的領導地位， Ventura 系統具達更高深寬比矽穿孔製程實力，在製造阻障層和晶種層上，比傳統銅導線 PVD 系統，最多可節省 50 % 的成本。我們的創新技術打造性能更強、功能更多、體積卻小、耗電更少的晶片封裝元件，滿足最先進的運算需求。客戶開始了解這套 PVD 系統的優勢，且正進行量產確認。」
為提高 3D 晶片製程良率， Ventura 系統在離子化 PVD 技術導入創新，確保阻障層和晶種層的完整性，以提高間隙填充及導線的可靠度。這些技術研發大幅改善離子的方向性，提供超薄、連續和均勻且深入孔洞的金屬鍍層，達到矽穿孔製程所追求的無空洞填充 (void-free fill) 的要求。方向性改善後沉積率也會改善，阻障層和晶種層材料用量同時跟著降低。 Ventura 系統的強大特色，加上使用鈦金屬作為阻障層的替代材料，預期可改善裝置的可靠性，而且能降低矽穿孔金屬化製程的總持有成本。
應用材料公司是全球前五百大公司之一，專事製造先進的半導體、平面顯示、太陽光電的各項創新性設備、服務及軟體產品。應用材料公司的創新技術可協助諸如智慧型手機、平面電視及太陽能電池更具成本效益，更方便使用。查詢應用材料相關訊息，請至 http://www.appliedmaterials.com 。
* PVD = 物理氣相沉積
* Under Bump Metallization( 凸塊底層金屬 )= 用來將晶粒連接至基板上
