應用材料公司推出 15 年來最重大的導線技術材料變革 !
應用材料所推出Applied Endura Volta 化學氣相沉積鈷金屬系統，是市面上唯一能沉積精密的鈷金屬薄膜，為 28 奈米以下的邏輯晶片提供銅導線包覆的能力。這系統具備兩種應用─具有高度完整披覆性的鈷當銅導線內襯層以及具備選擇性沉積的鈷當銅導線覆蓋層，完整包覆銅導線，提高十倍 ( 一個級數 ) 的可靠性。鈷金屬層的導入做為出色的金屬包覆薄膜，是導線材料過去 15 年來最重大的變革。
應用材料公司執行副總裁暨半導體系統事業群總經理藍迪爾•塔克 (Randhir Thakur) 博士表示：「導線的功用在於連結晶片中數十億顆電晶體，導線的可靠性與效能，是元件製造廠能否達成高良率的關鍵。導線線寬隨著摩爾定律的腳步縮小，容易出現破壞性孔洞和電遷移失效問題。 Endura Volta 系統植基於應用材料公司在精密材料工程領域的領導技術，提供化學氣相沉積 * 製程的鈷金屬內襯層和選擇性沉積的鈷金屬覆蓋層，克服了這些限制良率的問題，客戶能夠在 28 奈米以下的晶片上繼續微縮銅導線。」
Endura Volta 化學氣相沉積系統所擁有的兩項新製程步驟，為 28 奈米以下的銅導線製程提供主要的技術延伸性：
第一項步驟為沉積一層高度完整披覆性的鈷內襯層可增加細銅導線中銅的間隙填充能力。這項製程在相同的平台上，以超高真空狀態整合了表面清除、物理氣相沉積 * 阻障層、化學氣相沉積鈷內襯層和銅晶種製程，提高了元件的效能與良率。
第二項步驟是新的「選擇性」化學氣相沉積鈷金屬覆蓋層，此製程是在化學機械研磨 * 後進行沉積以包覆銅線，提高可靠性。使用鈷來完整包覆銅線，可製作出經過工程設計的介面，元件可靠性提高超過 80 倍。
應用材料公司副總裁暨金屬沉積產品部總經理桑德•拉瑪莫斯 (Sundar Ramamurthy) 博士表示：「應用材料公司獨特的鈷金屬化學氣相沉積製程是透過材料實現的創新微縮解決方案。我們十分滿意，欣見客戶採用這些發展近 10 年的材料和製程創新技術，用於高性能行動及伺服器微晶片。」
＊專有名詞：
物理氣相沉積 physical vapor deposition (PVD) ；
化學氣相沉積 chemical vapor deposition (CVD) ；
化學機械研磨 chemical mechanical planarization (CMP)
