因應工業馬達需求 英飛凌推新款二極體

圖說:英飛凌 TRENCHSTOP IGBT7 晶片採用最新的微圖溝槽技術,其靜態損耗遠低於IGBT4,導通電壓亦降低20%。

圖說:英飛凌 TRENCHSTOP IGBT7 晶片採用最新的微圖溝槽技術,其靜態損耗遠低於IGBT4,導通電壓亦降低20%。

英飛凌科技 (IFNNY) 推出新款 1200 V TRENCHSTOP IGBT7 與射極控制 EC7 二極體。新款 IGBT 具備更高的功率密度,可降低系統成本及縮小系統尺寸。此功率模組採用業界知名的 Easy 外殼封裝,符合工業馬達應用的需求。

TRENCHSTOP IGBT7 晶片採用最新的微圖溝槽技術,其靜態損耗遠低於 IGBT4,導通電壓亦降低 20%。這項技術可大幅降低應用的損耗,特別是工業馬達之應用,因為這類應用通常以中度切換頻率運作。此功率模組的最大允許過載接面溫度可達 175°C,並具有較彈性的切換及更高可控制性等特點。

新款 1200 V TRENCHSTOP IGBT7 模組的腳位設計和 TRENCHSTOP IGBT4 模組相同,因此有利於減少製造商的設計工作複雜度。更重要的是,新款模組可在相同的封裝之下,提供更高的輸出電流,或甚至以較小的封裝提供相似的輸出電流。因此,設計人員便能以此設計出體積更精巧的變頻器。所有模組類型皆配備英飛凌可靠的 PressFit 壓接技術,可降低歐姆電阻及縮短製程時間。

新款 TRENCHSTOP IGBT7 技術採用業界標準 EasyPIM 封裝,提供 10 A 與 25 A 電流等級。如需更高功率,可採用 EasyPACK 2B 承載 100 A。導線類型為 FP10R12W1T7_B11、FP25R12W1T7_B11 及 FS100R12W2T7_B11。

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