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圖說:円星科技宣布開發完成台積電22nm完整的實體IP解決方案。

台積電22奈米 M31實體IP助攻

圖說:円星科技宣布開發完成台積電22nm完整的實體IP解決方案。矽智財供應商円星科技 (6643)宣布,已在台積電22奈米製程平台開發完整的實體IP,此技術平台包括超低功耗Ultra-Low Power (22ULP)及超低漏電Ultra-Low Leakage (22ULL)方案,提供客戶SoC設計所需的各式基礎元件、記憶體、高速介面、和類比電路等IP。

圖說:宜特科技董事長余維斌表示,如今營運看不到烏雲,他感到最開心的是,在公司艱苦時刻,99%優秀的員工沒有離開。

宜特苦盡甘來 這件事董座最開心

圖說:宜特科技董事長余維斌表示,如今營運看不到烏雲,他感到最開心的是,在公司艱苦時刻,99%優秀的員工沒有離開。苦盡甘來!電子產品驗證分析公司宜特科技,繼去(2019)年第四季以來,已連續三季穩定獲利,今年上半年淨利更大幅超越去年整年,且今年第四季營收可望迎接大幅成長,展望2021年持續樂觀。宜特科技今年上半年淨利新台幣1.45億元,超越去年整年度淨利0.77億元,每股純益1.55元。

圖說:科技部宜蘭園區一月通過重辦環評,截至7月,已有30家廠商核准入區,第一期標準廠房出租率已接近滿租,「蚊子園區」之說不攻自破。

宜科環評突破 廠房土地需求旺

圖說:科技部宜蘭園區一月通過重辦環評,截至7月,已有30家廠商核准入區,第一期標準廠房出租率已接近滿租,「蚊子園區」之說不攻自破。科技部宜蘭園區一月爭取通過「宜蘭園區環境影響說明書(重辦環評)」,除了突破量產限制,讓產業與在地優勢結合,積極引進生技、綠能、精密機械、光電元件、通訊等低污染產業,符合總統蔡英文所提出的六大戰略產業。

圖說:NEC和D-Wave攜手進行量子產品的開發、行銷和銷售

NEC投資D-Wave 攜手日本雲端應用

圖說:NEC和D-Wave攜手進行量子產品的開發、行銷和銷售NEC集團23日宣布與D-Wave展開合作,將NEC的運算能力與D-Wave在系統、軟體和雲端服務的量子運算能力結合,並將整合的能力帶給日本的客戶。D-Wave是全球第一家量子電腦的供應商,為此次,NEC已投資D-Wave一千萬美元。雙方將共同開發量子/傳統混合的技術及服務。

圖說(1):清華大學理學院學士班大四生高祺原表示,很感謝旭日獎學金幫助,讓他有更多時間可以投入課業。

清大加碼獎學金 10萬助你安心就學

圖說(1):清華大學理學院學士班大四生高祺原表示,很感謝旭日獎學金幫助,讓他有更多時間可以投入課業。國立清華大學為「擴大旭日」計畫獎學金加碼,幫助經濟弱勢生安心就學。今年9月起入學的大一新生只要符合獎助資格並提出申請,都能獲得10萬元獎學金。清大自開辦旭日計畫以來,已扶助260位旭日生,表現優秀的弱勢生還可獲獎助出國交換或參加研討會。

圖說:世界先進與交通大學、美國華盛頓大學合作,發展智能製造。

世界先進投資AI 交大華大助攻

圖說:世界先進與交通大學、美國華盛頓大學合作,發展智能製造。世界先進22日宣布,委託交大智慧綠能產學研究所「華大-交大人工智慧實驗室」進行「AI晶圓表面瑕疵偵測研究計畫」,由華盛頓大學教授黃正能、交大教授彭文孝與交通大學副教授馬清文共同主持。世界先進希望與學術界合作,開發一個可跨產品通用型、高準確率,而且可以自我監督的AI發展平台。

圖說:南科無人機黑客松競賽總獎金逾四百萬元,開放徵件,歡迎組隊來挑戰。

南科無人機賽徵件 總獎金逾四百萬

圖說:南科無人機黑客松競賽總獎金逾四百萬元,開放徵件,歡迎組隊來挑戰。科技部南科管理局首次辦理「無人機創新應用自造專案暨黑客松競賽」,期望廣招無人機好手,以實際解決產業問題為目標,7月20日召開徵件說明會,吸引新創公司、一般企業、學校及研究單位參加,介紹競賽辦法及徵件規則,入選隊伍可共享總價值達350萬元之開發資源,得獎競賽總獎金高達55萬元。

圖說:應用材料發表鎢製程技術,可解決邏輯晶圓代工節點中持續平面(2D)微縮所面臨的重要瓶頸。

突破微縮瓶頸 應用材料推出鎢製程

圖說:應用材料發表鎢製程技術,可解決邏輯晶圓代工節點中持續平面(2D)微縮所面臨的重要瓶頸。 應用材料推出新式的選擇性鎢(Selective Tungsten) 製程技術,可提供晶片廠商以新的方式構建電晶體觸點,該創新的選擇性沉積技術能降低影響電晶體性能並增加耗電量的接觸電阻。透過這項技術,電晶體的節點微縮與觸點能縮小至5奈米、3奈米甚至更小,並同步提升晶片功率、性能與面積/成本。

圖說:英飛凌62mm模組配備了英飛凌CoolSiC MOSFET,可實現極高的電流密度,分別提供6mΩ/250A,3mΩ/357A和2mΩ/500A型號選擇。

62mm新封裝 擴大碳化矽應用領域

圖說:英飛凌62mm模組配備了英飛凌CoolSiC MOSFET,可實現極高的電流密度,分別提供6mΩ/250A,3mΩ/357A和2mΩ/500A型號選擇。英飛凌下 1200 V CoolSiC MOSFET 模組系列新添 62mm 工業標準模組封裝產品。62mm 封裝之產品採用半橋拓撲設計及溝槽式晶片技術,已受到業界的肯定。此封裝為碳化矽打開了 250kW 以上中等功率應用的大門。

圖說​:交通大學出版前校長鄧啟福新書《無求常安:鄧啟福校長口述歷史》,6/30於交大舉行新書發表會。

九旬校長的福氣人生

圖說​:交通大學出版前校長鄧啟福新書《無求常安:鄧啟福校長口述歷史》,6/30於交大舉行新書發表會。交通大學出版新書《無求常安:鄧啟福校長口述歷史》,《產業人物》主筆王麗娟曾任《交大友聲》雜誌主編,受鄧啟福校長多所啟發,鄧校長除了培育人才,更幫助交大以及國家創制諸多重大建設。主筆專訪該書紀錄作者周湘雲,揭露這本口述歷史的幕後精彩故事,與您分享產業人物主筆王麗娟的產業筆記。

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