圖說：交大電子莊紹勳教授團隊傑出研究榮登VLSI全球各大學最佳論文。
為期五天的「2017IEEE VLSI Technology and Circuits Symposium」國際會議，於6月5日起在京都舉行。交通大學講座教授莊紹勳研究群發表一篇與台灣師大、聯電共同研究的14奈米鰭式電晶體(FinFET)嵌入型電阻記憶體論文，獲VLSI全球學術界最佳論文獎，與Samsung、IBM、Globalfoundries另三篇一同獲選highlight session論文。
該論文主要是現有晶圓代工廠的嵌入式記憶體技術多停留在28nm以上的節點(如40奈米邏輯製程)，蓋因28奈米及以下技術，都改用high-k/Metal-gate技術，要將傳統浮閘記憶體或SONOS記憶體與28奈米以下先進邏輯技術整合不易，因此，本文率先提出將記憶體與先進14奈米FinFET邏輯技術整合在一起，本項發明尚屬世界首屈一指。
會議分為二個部份，一為VLSI Technology Symposium，另一為VLSI Circuits Symposium。前者共發表72篇論文(含8篇邀請論文)，後者發表115篇論文。參與人數超過千人，創有史以來新高。 此次VLSI Technology Symposium投稿160篇，被接受的論文，美國15篇，日本10篇，比利時、台灣與韓國各有8篇。台灣上榜的論文，交大及台積電各3篇，奈米國家實驗室一篇，清大一篇。最重要的是交通大學與東京大學為全球各大學發表論文數同列第一，然而由交大莊教授帶領的團隊論文，名列「全球學術界最佳論文」，與Samsung、IBM、Globalfoundries另三篇一同獲選highlight session論文。
莊教授表示，台灣雖然擁有傲視全球的半導體產業，但整體論文發表數量仍不夠多。莊教授極力建議，台灣各大學院校應加強與產業界的合作，運用先進的業界製程設備講究創新，才有可能在研發質量上與世界知名大學及知名半導體公司力拼。
VLSI研討會今年的重點，除了先進邏輯元件製程技術外，在先進的記憶體技術論文也不遑相讓。先進邏輯元件製程技術是CPU、GPU、繪圖晶片、通訊IC、消費性電子如手機、汽車用記憶體、訊號處理IC等的核心技術，目前已到7奈米技術將進入可以量產的階段，該會議還探討了5奈米的FinFET技術，但因微影術的現制，製程技術，仍趕不上微縮(scaling)的需求。另外，物聯網(IoT)及穿戴式裝置，如何提供低功耗的設計，也成為近期的重點。
此次的會議，除了更小尺寸的先進邏輯製程技術，也強化仿生運算及相關記憶體、Quantum computing等，汽車自動駕駛未來在硬體發展的需求。
