圖說：意法半導體1350V新系列IGBT電晶體，可提升耐受性和效能。
意法半導體（STMicroelectronics）新系列IGBT電晶體將擊穿電壓提升至1350V，最高作業溫度高達175°C，更高的額定值確保電晶體在所有運作條件下具有更大的設計餘量、耐受性能和更長久的可靠性。
新推出之STPOWER IH2系列IGBT還提升了功率轉換效能，相關參數出色，例如，低飽和導通電壓 Vce(sat)，確保元件在導通狀態下耗散功率較小。而續流二極體的壓降亦不高，能夠優化關斷電能損耗，讓在16kHz至60kHz運作頻率的單開關準諧振轉換器具有更高的效能。
新IGBT具備良好的耐受性和效能，適合電磁加熱設備，包括廚房爐灶、變頻微波爐、電鍋等家電。在2kW應用中，意法半導體的新型IGBT元件還可將功耗降低11%。
此外， Vce(sat) 具有正溫度係數效應，元件之間緊密的參數分佈有助於簡化設計，可輕鬆並聯多個IGBT二極體，滿足高功率應用的需求。
該系列前期推出的兩款元件25A STGWA25IH135DF2和 35A STGWA35IH135DF2現已量產，其採用標準TO-247長引線功率封裝。
