圖說：英飛凌科技（Infineon）推出搭載1200 V TRENCHSTOP IGBT7晶片的62 mm半橋和共發射極模組產品組合。
英飛凌科技（Infineon）推出搭載1200 V TRENCHSTOP IGBT7晶片的62 mm半橋和共發射極模組產品組合。模組的最大電流規格高達 800 A ，擴展了英飛凌採用成熟的62 mm 封裝設計的產品組合。電流輸出能力的提高為系統設計人員在設計額定電流更高方案的時候，不僅提供最大的靈活性，還提供更高的功率密度和更優秀的電氣性能。新型模組專為滿足集中式太陽能逆變器以及工業馬達驅動和不斷電供應系統（UPS）的需求而開發。此外，它還廣泛適用於電動汽車充電樁、儲能系統（ESS）和其他新型工業應用。
基於新型微溝槽技術，搭載 1200 V TRENCHSTOP IGBT7 晶片的62mm 模組系列的靜態損耗遠遠低於搭載 IGBT4 晶片組的模組。這些特性大大降低了應用中的損耗，在以中等開關頻率工作的工業馬達驅動中尤為顯著。IGBT 的振盪行為和可控性也得到了提升。此外，全新功率模組的最大超載接面溫度為 175°C。
堅固的鍍鎳銅底板和螺母主端子確保了 62 mm模組封裝具有足夠的機械強度。主端子位於封裝中央，由於其直流鏈路連接電感較低，因此非常適合並聯電路和三電平拓撲配置。標準的封裝設計和尺寸使得該系列能夠相容此前的模組版本。此外，所有模組均可使用英飛凌經過驗證的預塗熱介面材料（TIM）。
