- 文:Wa-People/李慧臻 Jane Lee
- 圖:Wa-People/編輯中心
- 2020.07.21
圖說:應用材料發表鎢製程技術,可解決邏輯晶圓代工節點中持續平面(2D)微縮所面臨的重要瓶頸。 應用材料推出新式的選擇性鎢(Selective Tungsten) 製程技術,可提供晶片廠商以新的方式構建電晶體觸點,該創新的選擇性沉積技術能降低影響電晶體性能並增加耗電量的接觸電阻。透過這項技術,電晶體的節點微縮與觸點能縮小至5奈米、3奈米甚至更小,並同步提升晶片功率、性能與面積/成本。
- 文:Wa-People/李慧臻 Jane Lee
- 圖:Wa-People/編輯中心
- 2020.06.10
圖說:英飛凌推出 CoolSiC MOSFET 1700 V SMD 封裝,為高壓輔助電源供應器提供最佳效率並降低複雜性。英飛凌擴充旗下 CoolSiC MOSFET 系列電壓等級,繼今年稍早推出的 650 V 產品後,現在更新添具專屬溝槽式半導體技術的 1700 V 電壓等級產品。新款 1700 V 表面黏著裝置 (SMD) 產品充分發揮了碳化矽 (SiC) 強大的物理特性,提供優異的可靠性和低切換及導通損耗。