創新研發

圖說:應用材料新推出的「流動式」化學氣相沉積系統。
圖說:應用材料新推出的「流動式」化學氣相沉積系統。■文:王麗娟Janet Wang■圖:AMAT這是一款喚起我好奇的新設備。化學氣相沈積(CVD)設備是不陌生的,但這回,新的CVD產品,有幾個重要的關鍵字。
圖說:交通大學創新育成中心培育新創事業,成果豐碩。交大副校長李鎮宜 (前排右四)及育成中心主任黃經堯(前排右三),日前頒獎表揚年度績優進駐企業。
圖說:交通大學創新育成中心培育新創事業,成果豐碩。交大副校長李鎮宜(前排右四)及育成中心主任黃經堯(前排右三),日前頒獎表揚年度績優進駐企業。■文:王麗娟Janet Wang■圖:李慧臻Jane Lee交通大學創新育成中心於7月27日舉辦年度成果分享會,會中展現2009年至2010年豐碩之培育成果,交大副校長李鎮宜及育成中心主任黃經堯,於分享會中,特別表揚年度績優進駐企業。
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■撰稿:王麗娟■攝影:T.K.19億元大訂單七月中旬,太陽能電池廠商太陽光電能源科技(BigSunEnergy)(3566)公司,宣布取得一張金額高達新台幣19.25億元的大訂單。這張金額高達5,980萬美元的訂單,來自日本,折合新台幣約19.25億元,比太陽光去年一整年的營收15.89億元,以及今年上半年總營收17.89億元,都還來得高。
圖說:新和Intertek 董事長李龍仁
圖說:新和Intertek董事長李龍仁■文:《哇-People!》編輯部■圖:照片來源:新和Intertek官網成立於1977年的韓國光學膜廠新和(ShinwhaIntertek),透過與客戶三星緊密合作,推出CLC膜(CholestericLiquidCrystalFilm),其增亮效果可以達到3M的DBEF增亮膜的90%,預計以DBEF增亮膜售價的八成銷售。
圖說:工研院鄭俊年研究員說明「智慧型車輛旅歷追溯系統」,螢幕上已有黃色圓點標示出車輛行經路線。
圖說:工研院鄭俊年研究員說明「智慧型車輛旅歷追溯系統」,螢幕上已有黃色圓點標示出車輛行經路線。■文:《哇-People!》編輯中心工研院辨識與安全科技中心2010年8月17日發表「分散式智慧型影像監控前端系統」技術,該技術可自動偵測及追溯人或物體,讓緊急事件或異常入侵無所遁形;此外,並發表「嵌入式智慧影像分析模組」,可立即與現有的閉路式監控攝影機(CCTV)相結合,為產品加值,提昇產品競爭力。
圖說:STARC混合訊號設計群資深經理Kunihiko Tsuboi先生於2010年的DAC大會上宣布好消息:採用Laker完成90 nm混合訊號參考的iPDK驗證。
圖說:STARC混合訊號設計群資深經理KunihikoTsuboi先生於2010年的DAC大會上宣布好消息:採用Laker完成90nm混合訊號參考的iPDK驗證。■文:《哇-Pepple!》編輯中心■圖:STARC日本半導體技術學術研究中心(SemiconductorTechnologyAcademicResearchCenter,STARC)混合訊號設計群資深經理KunihikoTsuboi,於2010年的DAC大會上宣布好消息:該中心採用思源科技知名的Laker,完成90nm混合訊號參考的iPDK驗證。
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■撰文/攝影:王麗娟Janet Wang許多研發型的人,外表樸實木訥,唯有談到重要的關鍵字,才能像是按對了啟動他們熱情的按鈕,讓他們眼睛炯炯有神、滔滔不絕。宣布正式退休才三個月,便又為了陪著朋友一起解決技術問題,一頭再度栽進技術開發的張秋銘(MichaelChang),可說是這種熱情研發人的典型代表。傳說已經退休的他,即將,重現江湖!
圖說:觸控面板上,最貴的材料就是「透明導電膜」。工研院機械所電漿應用技術部研究員張加強指出,工研院透過跨領域技術團隊合作,大幅提高觸控面板的成本優勢。
圖說:觸控面板上,最貴的材料就是「透明導電膜」。工研院機械所電漿應用技術部研究員張加強指出,工研院透過跨領域技術團隊合作,大幅提高觸控面板的成本優勢。■文:王麗娟Janet Wang■圖:李慧臻Jane Lee閃電瞬間的能量,被工研院的研發團隊捉住了。利用大自然的原理,掌握閃電現象與瞬間能量,將之轉換成製作透明導電膜的大氣壓電漿技術。這項創新突破,讓觸控面板上最貴的「透明導電膜」可以直接在普通的大氣壓環境下製作,不必仰賴昂貴的真空環境,是降低成本的重要關鍵。
圖說:國家實驗研究院舉辦「台灣電子醫療器材契機論壇」
圖說:國家實驗研究院舉辦「台灣電子醫療器材契機論壇」■撰文:《哇-People!》編輯部國家實驗研究院於7月13、14日以「走向優質健康的生活」為主題,假儀器科技研究中心舉辦「台灣電子醫療器材契機論壇」,邀請產、學、研界在醫療器材領域之先進賢達,共同為我國電子醫療器材產業的發展討論出新的契機。
圖說:電荷殘留會影響元件特性!旺宏電子主任工程師葉騰豪在2010 VLSI-TSA 發表該公司採BE-SONOS結構研究,發現將閘極蝕刻控制成垂直狀,將是應用關鍵。
圖說:電荷殘留會影響元件特性!旺宏電子主任工程師葉騰豪在2010VLSI-TSA發表該公司採BE-SONOS結構研究,發現將閘極蝕刻控制成垂直狀,將是應用關鍵。2010VLSI半導體產業盛宴(五)■撰稿:葉騰豪■攝影:李慧臻Jane Lee近年來,利用氮化矽局部電荷儲存原理,取代浮停閘(FloatingGate)記憶體晶胞的研究越來越多。因此關於氮化矽記憶體元件可靠度的研究也越顯得重要。本文著重於研究由閘極蝕刻所引發的形狀效應,並且討論其在NAND陣列下所反應出來的元件特性。
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