世界先進0.35微米高壓GaN量產

圖說:世界先進宣布,0.35微米650 V氮化鎵製程邁入量產。

圖說:世界先進宣布,0.35微米650 V氮化鎵製程邁入量產。

世界先進今(22)日宣布,其領先的八吋0.35微米650 V的新基底高電壓氮化鎵製程(GaN-on-QST)已於客戶端完成首批產品系統及可靠性驗證,正式進入量產,為特殊積體電路製造服務領域首家量產此技術的公司。

2018年,世界先進以Qromis基板技術(簡稱QST)進行八吋QST基板的0.35微米650 V GaN-on-QST製程開發,於今年第一季開發完成,於第四季成功量產,世界先進同時已和海內外整合元件製造(IDM)廠及IC設計公司展開合作。

QST基板相較於以矽(Si)作為基板,具有與氮化鎵磊晶層更匹配的熱膨脹係數(CTE),在製程中堆疊氮化鎵的同時,也能降低翹曲(warpage)破片,更有利於實現量產。世界先進的0.35微米650 V GaN-on-QST製程能與公司既有的八吋矽晶圓機台設備在開發與生產上相互配合使用,以達最佳生產效率及良率。根據客戶端的系統驗證結果,世界先進提供的氮化鎵晶圓於快充市場的應用上,針對65W以上的快充產品,其系統效率已達世界領先的水準。此外,基於QST基板的良好散熱特性,在整體快充方案效能上,世界先進提供的氮化鎵晶圓具有更優良的散熱表現。

世界先進營運長尉濟時表示:「世界先進身為特殊積體電路製造服務的領導廠商,不斷精進製程技術,以提供客戶最具效益的完整解決方案及高附加價值的服務。我們的0.35微米650 V GaN-on-QST製程具備效能及可靠性優勢,不僅提供客戶更優化的積體電路設計選擇,亦協助提升客戶產品的競爭力。」

世界先進0.35微米650 V GaN-on-QST製程除了650 V的元件選擇之外,也提供內建靜電保護元件(ESD),客戶得以更便利的進行設計選擇。此外,該製程除具備更優異的可靠性與信賴性,針對更高電壓(超過1,000 V)的擴充性,世界先進也已經與部分客戶展開合作,以滿足客戶的產品需求。