日期: 2024 年 10 月 25 日

隨著TI會津廠進入生產，加上位於德州達拉斯的現有GaN製造作業，TI 現針對GaN功率半導體的自有產能可增加至四倍之多。

國立中山大學材料與光電科學系教授杭大任跨校研究，聚焦於新穎碳化鉬邁科烯（MXene）電儲能柔性材料。