圖說：群聯電子董事長潘健成（資料照）
快閃記憶體 (NAND Flash) 控制晶片解決方案商群聯電子在美國時間8月8日於2017年快閃記憶體高峰會 (Flash Memory Summit；2017 FMS)發表最新符合UFS 2.1 高速雙通道規範的快閃記憶體控制晶片PS8313。群聯電子董事長潘健成表示，PS8313是群聯電子與國際3D NAND大廠共同合作的最新成果，將助力智慧型手機次世代的旗艦機種進入超高速儲存時代。
智慧型手機的旗艦機種設計正積極導入5G高速行動網路、8K4K高畫質多屏串流等技術，高階記憶體技術規格也悄然地進入UFS時代。UFS規格目前正逐步取代eMMC規格，成為智慧型手機嵌入式記憶體、SD記憶卡的高速介面標準。最新、技術更臻成熟的UFS 2.1規範，其使用更快的序列介面以符合更高的資料傳輸速率，並支援全雙工（Full Duplex）操作的信號介面等高規格技術之外，其頻寬已遠遠超過傳統eMMC 5.1。因此UFS 2.1已成為高通（Qualcomm）、海思(HiSilicon)等旗艦智慧型手機晶片設計廠目前導入支援的新規格，同時也是各國際手機品牌廠作為次世代旗艦機種儲存設計的首選技術。
群聯電子在eMMC市場取得高市占後，隨著技術快速升級，領先同業開發出符合UFS 2.1規範、達到雙通道的全新快閃記憶體控制晶片PS8313。群聯電子技術長馬中迅指出，「群聯電子新推出的PS8313符合UFS 2.1規範，除了強調可支援各旗艦手機晶片廠商的平台，PS8313能透過小型UFS BGA封裝技術實現SSD等級的強大性能表現，將助力智慧型手機規格再進階，也充份展現出群聯電子全方位的技術實力。」
群聯電子最新快閃記憶體控制晶片PS8313，採用28nm製程，且搭配最新3D TLC製程的NAND Flash，實測的序列讀寫速度已達到與SSD相當的水準，其連續讀寫速度920/550 MB/s，在隨機讀寫的速度上更是達到67K/62K IOPS的頂級表現，該實測成果亦反映出高於目前主流eMMC近5倍的效能，透過搭載群聯電子獨創的M-PHY、UniPro、UFS 等實體層矽智財（IP），以及群聯電子專為最新3D TLC設計的第四代低功耗LDPC ECC糾錯引擎，能支援各國際大廠最新的3D TLC記憶體，同時無須額外被動元件的設計，便於客戶降低設計成本，以及兼具提升快閃記憶體的耐用度和可靠性。
由於PS8313 最大支援8顆記憶體至256GB的 UFS 總容量，運用先進封裝11.5×13 mm迷你封裝技術，將可提供客戶多種行動記憶體解決方案，包括UFS記憶卡、嵌入式UFS、搭載LPDDR的uMCP等，而且其高效能、高可靠度、最佳容量的性價比以及高彈性的設計方案更提供各大國際手機廠為新一代旗艦機種進行差異化設計，將可引領智慧行動裝置的記憶體效能可達到SATA規格SSD等級，讓使用者可透過智慧行動裝置體驗到相當於電競電腦／筆電等級的遊戲、高解析度影片、以及串流影音應用。
群聯電子快閃記憶體控制晶片PS8313產品簡述:
*性能表現乃基於無作業系統負載的原始性能內部測試;性能可能會因主機平台而降低
