台積電20奈米，決定用既有的微影設備，以浸潤式微影技術，重複曝光的做法。極紫外光微影製程(Extreme UV Lithography)與多電子光束無光罩微影技術(multiple-e-beam maskless lithography) 兩個陣營都沒有趕上台積電20奈米的腳步。
台積電 (TSMC) 研發副總經理林本堅 (Burn J. Lin ) 出席Semicon Taiwan 2011展前記者會，說明該公司先進製程藍圖與微影製程的抉擇。他表示，目前台積電20奈米即將進入量產，布伐緊湊。由於考量市場需求，技術推出的時間很重要，EUV與MEB兩個陣營都沒有趕得上台積電20奈米製程推出的腳步。接下來，就看14奈米是否能夠趕得上。
林本堅指出，28奈米採浸潤式微影技術，是單次曝光的最後一代。由於考量市場需求及掌握時效，因此，台積電決定採既有設備、以浸潤式微影技術、重複曝光 (double patterning) 的方式，推出20奈米製程技術服務客戶。這麼作的好處是，設備是現有的，不必等，但缺點是，多次曝光使得成本提高。不過，林本堅強調，台積電認為把握時間很重要，因為市場確實有需求。
林本堅表示，往14奈米世代推進，上述兩種技術解決方案都還有機會，他也會平行地注意兩個陣營的進度與突破，但如果還是趕不上，台積電可能還是會用浸潤式的工具，搭配多重曝光的做法。
目前台積電28奈米製程試產中，預計2012年初開始量產。目標是從28, 20, 14, 10奈米，每2年向前推進一代。
