英飛凌全新記憶體晶片 頻寬加倍

圖說:英飛凌推出新型HYPERRAM 3.0記憶體晶片

圖說:英飛凌推出新型HYPERRAM 3.0記憶體晶片

英飛凌(Infineon)推出新型 HYPERRAM 3.0 元件,進一步完善其高頻寬、低引腳數記憶體解決方案。該元件具備全新16位元擴展HyperBus介面,可將吞吐量翻倍提升至800MBps。在推出HYPERRAM 3.0元件後,英飛凌可提供完善的低引腳數、低功耗的高頻寬記憶體產品組合。該晶片非常適用於需要擴展RAM記憶體的應用,包括視頻計算、工廠自動化、人工智慧物聯網(AIoT)和汽車車聯網(V2X),以及需要暫存記憶體進行數據密集型計算的應用。

英飛凌汽車電子事業部高級行銷與應用協理 Ramesh Chettuvetty 表示:「英飛凌在記憶體解決方案領域擁有近三十年的深厚專業積累,我們十分高興為市場帶來又一款業界首創產品。全新HYPERRAM 3.0記憶體解決方案每個引腳的數據吞吐量遠大於PSRAM、SDR DRAM等市面上現有的技術。其低功耗特性能夠在不犧牲吞吐量的情況下實現更低的功耗,因此這款記憶體是工業和物聯網解決方案的理想選擇。」

英飛凌HYPERRAM是一款基於PSRAM的獨立揮發性記憶體,它可提供一種經濟實用的添加方式來擴展記憶體。其數據速率與SDR DRAM相當,但所用的引腳數更少,功耗更低。HyperBus介面每個引腳的數據吞吐量更高,從而可以使用引腳數較少的微控制器(MCU)和層數較少的PCB,為目標應用提供複雜性更低以及成本更優化的的設計方案。

英飛凌在2017年推出了第一代支援 HyperBus介面的HYPERRAM元件。第二代HYPERRAM元件於2021年推出,同時支援 Octal xSPI和HyperBus JEDEC兼容介面,最高數據速率可達到400 MBps。第三代 HYPERRAM 元件支援新的擴展HyperBus介面,實現了800 MBps的數據速率。HYPERRAM元件的密度範圍為64 Mb至512 Mb,經AEC-Q100認證並可支援最高125℃ 工業和汽車溫度等級。

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