旺宏電子總經理盧志遠博士近日獲得「世界科學院」（The World Academy of Sciences, TWAS）推選為2014年「工程科學」(Engineering Sciences)獎得主，以表彰他在半導體物理與元件技術的卓越貢獻。正式頒獎典禮將於2015年TWAS召開第26屆年會時舉行。
TWAS成立於1983年，其宗旨是協助發展中國家從事科學研究和開發應用，成員涵蓋發展中國家之傑出科學家，目前約有1,100名院士。TWAS每年選出農業、生物、化學、地球、工程、數學、物理、醫學及社會科學等領域研究傑出並具貢獻者，獲獎不僅代表個人的學術成就，更代表所屬國家持續對於發展中國家的科學支持與協助，甚具普世人道關懷之深刻意義。
TWAS今年十月底在阿曼召開第25屆年會，並宣佈包括工程科學等九項科學研究領域共十一名獲獎人名單，其中台灣共有三位獲獎人，除了盧志遠博士，還包括地球科學類的中研院特聘研究員鍾孫霖博士及醫學科學類的張子文博士。
盧志遠博士長期投身於科技創新及尖端研發，不但是位傑出科研專家，且又能具體實踐應用。他早於1980年代中期於美國AT&T Bell Labs領導研究計畫時，即曾研發高達600V之BCDMOS IC技術，為當時業界最高伏技術；1987年，他也是全球首位於IEDM發表DRAM最詭譎的可靠性問題技術論文，促使業者大幅提升DRAM可靠度，之後領導研發0.6微米CMOS第六代Twin-tub製程技術，部份技術理論迄今仍被廣泛引用，讓今日的半導體產業得以蓬勃發展。而他於1989年受邀回台出任工研院電子所副所長，帶領工研院團隊執行台灣最大科專計畫─次微米計畫，不但讓台灣具備八吋晶圓產製能力，更成功將台灣推向世界高科技舞台。次微米計畫後衍生成立世界先進公司，成為催化台灣記憶體產業的重要推手。
1999年，盧志遠博士加入旺宏電子，專注非揮發性記憶體前瞻技術研發，帶領旺宏研發團隊持續在國際重要學術會議如IEDM、ISSCC、VLSI等發表多項次世代記憶體先驅技術如BE-SONOS，解決快閃記憶體在尺寸微小化後面臨資料相互干擾及無法長久保存之困境，近期更推動3D垂直快閃記憶體先進技術，使半導體記憶器可持續微縮至10奈米以下。而他創辦的欣銓科技，證實晶圓級測試為可行的商業模式，更成為尖端半導體生產過程中不可或缺的一環，也獲得美國哈佛大學商學院(HBS)納為推廣教案。
盧志遠博士浸淫半導體界超過30年，積極鑽研電子元件及材料科技，發表超過 400多篇學術及技術論文，更擁有150餘項國際專利。由於對半導體界的貢獻良多，盧博士獲得許多國內外獎項及榮耀肯定，包括美國電機電子學會IEEE千禧傑出獎章、潘文淵文教基金會研究傑出獎、有科技研發工程師界奧斯卡獎之稱的IEEE Frederik Philips Award及國家最高榮譽科學研究獎項總統科學獎等，更獲得美國物理學會APS Fellow、IEEE Fellow、中華民國科技管理學會院士、工研院院士、台大傑出校友、交大名譽博士等榮銜。
TWAS成立於1983年，其宗旨是協助發展中國家從事科學研究和開發應用，成員涵蓋發展中國家之傑出科學家，目前約有1,100名院士。TWAS每年選出農業、生物、化學、地球、工程、數學、物理、醫學及社會科學等領域研究傑出並具貢獻者，獲獎不僅代表個人的學術成就，更代表所屬國家持續對於發展中國家的科學支持與協助，甚具普世人道關懷之深刻意義。
