創意電子(GUC)近期宣布，創意電子DDR4 IP已採用台灣積體電路公司16nm FinFET(16FF) 製程技術並成功地通過晶片驗證，成為創意電子第一個採用台積電16FF製程技術的IP。
全新的16FF DDR4 PHY IP運作速度高達每秒3.2 gigabytes (Gbps)，比DDR3 IP提高了50%，而且同一速度時的功耗降低了25 %。此IP完全發揮了台積電16FF製程的優勢，外部迴路測試上(external loopback)達到3.5Gbps的高速並且以2.7Gbps的高速成功讀寫2.4Gbps規格的DDR4 DRAM。
此IP與DDR4 DRAM連接時，在同一速度下，相較於同一規格的28nm DDR3 IP，可降低40%核心功耗。創意電子16FF DDR4 IP的成果於今年台積電北美技術研討會(TSMC North America Technology Symposium)上首度亮相。
16FF DDR4 IP內建PHY自動訓練模式，不但容易啟動、可節省驗證時間而且可使資料擷取定位(data strobe positioning)達最佳化。此測試晶片(test chip)是採用日月光半導體(ASE)的覆晶封裝(Flip Chip package，FCBGA)技術以及南亞電路板(Nanya PCB)製造的增層覆晶載板(multi-layer build up substrate)。新IP未來可能運用於各種高速網路架構和伺服器應用。
創意電子總裁賴俊豪表示：「此16FF DDR4 IP代表真正設計的突破。這是目前創意電子採用台積電16FF製程技術最快速的IP，也代表先進技術設計人員能夠儘快展開新一代裝置設計工作的絕佳良機。」
