62mm新封裝 擴大碳化矽應用領域

圖說:英飛凌62mm模組配備了英飛凌CoolSiC MOSFET,可實現極高的電流密度,分別提供6mΩ/250A,3mΩ/357A和2mΩ/500A型號選擇。

圖說:英飛凌62mm模組配備了英飛凌CoolSiC MOSFET,可實現極高的電流密度,分別提供6mΩ/250A,3mΩ/357A和2mΩ/500A型號選擇。

英飛凌旗下 1200 V CoolSiC MOSFET 模組系列新添 62mm 工業標準模組封裝產品。62mm 封裝之產品採用半橋拓撲設計及溝槽式晶片技術,已受到業界的肯定。此封裝為碳化矽打開了 250kW 以上(此為矽基 IGBT 技術 在 62mm 封裝的功率密度極限)中等功率應用的大門。相較於一般的 62mm IGBT 模組,碳化矽的應用範圍更擴展至太陽能、伺服器、儲能、電動車充電樁、牽引以及商用感應電磁爐和功率轉換系統等。

該 62mm 模組配備了英飛凌 CoolSiC MOSFET ,可實現極高的電流密度。其極低的開關損耗和導通損耗可減小散熱元件尺寸。在高開關頻率下運作時,可使用更小的磁性元件。透過英飛凌 CoolSiC 晶片技術,客戶可以設計出尺寸更小的變頻器,從而降低整體系統成本。

新產品採用 62 mm 標準基板和螺絲固定方式,具有高強固性的外殼結構設計,且設計經過最佳化,可達到最高的系統可用性,同時降低維修成本以及停機損失。出色的溫度循環能力和 150°C 的連續工作溫度(Tvjop),帶來出色的系統可靠性。其對稱性的內部設計,能讓上下開關達到相同的切換條件。亦可選配「熱介面材料」(TIM),以進一步提高模組的熱效能。

採用 62 mm 封裝的CoolSiC MOSFET 1200 V  分別提供 6mΩ/ 250 A,3mΩ/ 357 A 和 2mΩ/ 500A 型號選擇。另外還推出有助快速特性化 (雙脈衝/連續作業) 的評估板,為便於使用,還提供了可彈性調整的閘極電壓和閘極電阻。此外,還可作為批量生產驅動器板的參考設計。



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