一年一度FMS高峰會 群聯飆NAND技術實力

圖說:群聯初次亮相PCIe 4.0 DRAM-Less SSD控制晶片PS5019-E19T

圖說:群聯初次亮相PCIe 4.0 DRAM-Less SSD控制晶片PS5019-E19T

全球最大的快閃記憶體峰會FMS (Flash Memory Summit) 於美國8月6日開幕 ,群聯電子 (PHISON) 今年擴大展示該公司在NAND儲存市場超過20年經驗的技術實力,受到高度矚目。

隨著5G應用逐漸明朗化,愈來愈多的周邊相關硬體設施也隨之升級,包含各種邊緣運算的硬體設備、資料傳輸的網路硬體基礎建構、甚至到雲端的伺服器及資料處理中心等,都緊密的伴隨5G技術的發展及應用進行了相對應的配套升級。而需要升級的硬體零組件,除了大家熟知的運算處理器CPU之外,另一個關鍵的零組件「NAND儲存裝置 (NAND Storage Devices)」更是扮演著重要不可或缺的角色。

原因很簡單,資料運算 (Computing) 的所有基礎來自於大量的資料,而NAND儲存裝置不僅是現今儲存裝置的主流,更是巨量資料儲存的基本零組件;換句話說,沒有NAND儲存裝置,現今大部分的新興科技發展,將無法實現,而群聯電子正扮演著關鍵的角色,協助全球NAND儲存應用市場蓬勃發展。

2019年FMS峰會,參展廠商均針對未來幾年在5G、自駕車、人工智慧等領域的NAND儲存應用趨勢,發表觀點及新產品。群聯電子除了展示在台北國際電腦展(Computex)發佈的全球首款消費型PCIe Gen4x4 NVMe SSD控制晶片(PS5016-E16)外,也將首次公開低功耗及DRAM-Less版本的PCIe 4.0 SSD控制晶片(PS5019-E19T),可應用於如筆記型電腦或是遊戲主機等兼顧高效能與省電的SSD控制晶片IC及儲存方案,有助於擴增PCIe 4.0的應用及滲透率。

此外,群聯也在FMS首次展出一款超薄輕巧PCIe Gen3x2的1113 BGA SSD 儲存方案(PS5013-E13T)。尺寸僅11.5 x 13 x 1.2mm,最高循序效能可達每秒讀取1.7GB,每秒寫入1.1GB的高速表現,功耗僅1.5W,適用於需長效省電的嵌入式系統應用。


圖說:群聯於FMS展示PS5013-E13T PCIe NVMe 1113 BGA SSD儲存方案

群聯電子董事長潘健成表示,FMS是全球最大的快閃記憶體盛會,參觀者可以親眼見證群聯對於全球NAND儲存應用市場及發展的投入。此外更有機會一探群聯沿襲E16技術的PCIe 4.0 SSD控制晶片PS5018-E18,以及技術夥伴Liqid 公司所展示的超高速Gen4 NVMe SSD LQD4500 (4M IOPS與循序效能24GB/s) 與 Cigent公司具有動態資料保護引擎 (D3E) 的高度安全SSD方案,持續展示群聯深厚的技術實力。





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